Temp对PA（GSM CDMA TD-SCDMA）的影响有何不同

大概明白问题的答案了  我再整理下 要是想不明白 再问前辈  谢谢啦

GSM的PA之所以多一个power control信号你自己想想Vramp或是Vapc的功能是什么就知道了，实际上所有的PA都有bias control信号用于控制增益，只是说有的是voltage feed back，有的是current feed back。GSM PA要多一个，用于控制功率时间ramp up和ramp down的，这个信号跟PA在不同温度下的增益变化没有任何关系。

C网用的是线性PA，G网用的通常是非线性PA  这个我知道   他那个PA的自身控制电路是不是会牵扯“几个”不同的补偿  导致G网的补偿会更好一些?  为什么做过的测试表明 G网 随温度变化 不会像C网那么大?

G网和C网的PA是不同的，首先C网用的是线性PA，G网用的通常是非线性PA。另一方面，你说的，power control和power bias是指PA自身的控制电路，power detector电路是指系统中用于检测PA到底输出多少功率的电路。

我的问题就是想问问 G网的和C网的所使用的PA会有不同吗? 是不是G网的PA一般会集成一个POWER CONTROL和一个 power bias，C的是 bias control Voltage。还是他们这样的配置是一样的?

这些讲的都很好  很值得学习

通常听到别人说高温功率会下降，要补偿，低温会升高，也要补偿。其实这种说法是不准确的，你说的不同制式下功率的有的升，有的降，也是不准确的。
跟PA没有直接的关系，PA增益是会温度变化而变化，但是PA后面有个神马power detector不是摆设（现在都集成进PA或是transceiver里面了），功率检测电路用的还是同一个晶圆上的两个二极管设计，就是防止温度漂移特性的。会自动给你补偿起来的。根本原因在下归结为2点：
1.前端器件的温度特性，主要指PA输出到射频测试口之间的器件和匹配电路，如duplexer，这个器件的插入损耗会随温度变化而变化，特别是匹配带内没有调收敛的，温度一变，各个信道的变化都不一致，都得损耗变大，有的变小。
2.PA负载特性。PA到射频测试口之间的电路可以整体看成PA的负载，温度变化是，各匹配电路的阻抗会漂移，造成PA的负载总阻抗漂移，这种漂移可是跟人品有关，可能往左上跑，也可能往右下跑，还可能往左下跑（想想一个pi型匹配，三个原件的阻抗都随温度变化而变化，那他们总阻抗到底往哪变，电容电感换个厂家，特性就不一致，你用muruta的，我用taiyo的，同是1nH，特性和误差都不一样），这样load变了，PA的输出特性自然也变了，可能变好，也可能变差。
如果没说清楚，可以跟帖，再作解答，洗洗睡了。

顶顶 等高手解答  我这里有一点解答  不过希望得到更加专业 准确的回答

PA  对温度很灵敏

顶一下 有更好的 更专业的解答 期待

虽说俺不是搞设计的，但是也能看懂一些。写的不错。

现在终于搞明白了   哈哈  yilingbaby 是高手

明白了说来给我这个还不太明白的听啊

yilingbaby 是高手

认真的读了下你说的，有个问题，大家都知道温度高功率会降低，温度低输出功率会增加，那么如果是负载的温度特性产生了负载阻抗变化从而导致链路总的输出功率变化的话，那么应该是随机的，而不是有规律的，你也提到了，相同标称值不同厂家的器件差别都很大。
当然，如果闭环功率检测电路有，而且做的比较好的话，温度变化输出功率确实不会有大的变化，也就是说50欧姆负载测试（如连接仪器）时，负载（双工器等）阻抗随温度变化其实是很小的。

问一下,PDET只是检测PA输出的..
关于yilingbaby提出的第一个,PA后端期间随温度变化插损也变化.
但这些PA后端器件插损变化能影响PA的功率检测吗?
个人觉得温度变化引起PA输出阻抗的变化,导致PA的输出功率变化.
PDET是补偿这个..
还有一个是PA本身内部的(具体的不知道)..