微波EDA网,见证研发工程师的成长!
首页 > 研发问答 > 手机设计讨论 > 手机射频设计讨论 > ramp down的时间很短,只有12us,并且在TX_EN之前2uS关闭,哪位知道怎么修改.h文件?谢

ramp down的时间很短,只有12us,并且在TX_EN之前2uS关闭,哪位知道怎么修改.h文件?谢

时间:10-02 整理:3721RD 点击:
RF timing中,ramp down的时间很短,只有12us,并且在TX_EN之前关闭,哪位知道怎么修改.h文件?谢谢


在meta哪里能修改?ramp down的时间?

新人学习,从PA的datasheet上看,ramp是先于tx_en关掉的,整个下降沿持续应该在20us左右,Timeoffset MTK平台应该是用META可以改的吧,不对的地方请高手指教。

我用示波器测量,在ramp down的时候 把ramp的16个参数中第二个写成0其余都写成255 ,在示波器上看到 写0的那一点到ramp 被关掉的时间 间隔是13us,在之后的2us,TX_EN才关掉.也就是说 ramp down归零是在TX_EN之前, 而受控时间是13us,下降沿的时间偏短,曲线太陡,开关谱不理想.我这样说不知道你是否理解?
不知道哪位大虾碰到过类似问题.
另外 用CMU200  开PVT的时候 有一个Timing offset,有时候开关谱调到最佳状态,PVT曲线整体向左偏移了一下,需要设置一个offset的值 PVT才能pass,这个值在射频的.h文件里哪位大侠知道需要修改哪个参数.  哪位不吝赐教,在此表示感谢

请问楼上,可否讨论一下你的问题。QQ149553744

?

Copyright © 2017-2020 微波EDA网 版权所有

网站地图

Top