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关于射频线为什么有三倍线宽的原则

时间:10-02 整理:3721RD 点击:
射频走线(比如微带线)时,为什么和周围“地”之间间距有3倍线宽的原则?
这个原则和计算射频线宽有什么关系吗?
请达人指教,多谢!

怎么没人讨论呀

2倍吧。实际的板子没那么大空间留3倍线宽。
至于为什么嘛。因为计算微带线的时候,射频线的同一层旁边是没有地的,而保持射频线与旁边GND之间有2倍以上的线宽距离,其中一个原因就是不影响射频线的效果。GND越近,射频线的实际传输特性就与计算出来的结果差别越大。而且,在频率很高的时候,GND太近,会影响射频信号的幅度。仿真一下就能看出来的。

射频线是由同轴线缆的模型发展过来的,应该是四周都有“地"?
偶不是很懂,还请达人指教,多谢!

3W 和20H原则 是射频里比较常见的布线方法
3W 是线的中心算起的 当然在手机里确实没有严格按照3W来做的
3W规则
为了减少线间窜扰,应保证线间距足够大,当线中心距不少于3倍线宽时,则可保持70%的电场不互相干扰。如要达到98%的电场不互相干扰,可使用10W规则。

20H原则? 是啥咚咚,请LS兄弟指教

3倍比较理想一点,对于微带线模型来说。如果地离微带线比较近的话,特性阻抗模型就变成CPWG模型,而不是纯粹的微带线模型,CPWG模型复杂,不太容易控制阻抗。

线的板边距要大于20倍的板子的厚度

3w原则是为了尽可能的不影响传输线的阻抗。

3W是指在同层走线中,其它走线与本线的距离。这样做的目的有2:
1、防止走线之间的串扰,实验表明,3W走线可有效的减小90%的串扰
2、防止对本线特征阻抗的影响。特征阻抗其中的一个重要影响因素就是到参考平面的距离H,一般都是与最近的GND层作为参考平面。如果其他走线靠的太近,其参考平面就会产生变化,特征阻抗就会变化
20H主要是指电源层内缩。实验证明,板边的EMI辐射是最强的,而电源又是主要的辐射源,因此,为了PCB有良好的EMI性能,电源层要离板边一段距离,然后用GND包起来,那么要离多远了。经过仿真和实验表明,当电源层内缩20H,可有效的减小EMI 90%,H指的是电源层到其最近的参考GND层的距离,而非PCB的厚度。
以上数据都是我和我师傅做的仿真和实际测试得出的结论,应该是可信的。

同意楼上的。

不错,受益匪浅!

这里学习了,十分感谢啊!

顶10楼的,要加币

学习了

强烈建议10楼加币,第一次接触这理论,受益匪浅

谢谢大家的讨论,多谢!

受教了

学习了

10楼的说的很好。

按照微带线的分布模型可以看出,微带线里地越近则产生的分布电容越大,但这个分布电容是随着频率的变化而变化的,通常在1GHz的频率范围内,很少影响到电路,但有些平台如果匹配电路比较复杂的话,那么就需要注意这个分布电容的影响了,通常这种影响会在 simth圆图中将你所需要的频带拉离50oHm点,这种影响直接表现在手机的指标上,就是灵敏度降低,功率降低,PA的效率降低!如果所需的频带>2GHz的话,这个分布电容是比较需要关注的问题点!

学习了!

强人很多呀  mark study

兄弟您说的太对了。

学习了,讲得比较清楚

2倍就可以了

應該是共面波導仿真吧!

这些是电磁兼容里的要求呀!
为了减少线间窜扰,应保证线间距足够大,当线中心距不少于3倍线宽时,则可保持70%的电场不互相干扰。如要达到98%的电场不互相干扰,可使用10W规则。
书上是这么说的!

谢谢!辛苦!

学习了。

学习了,哈哈

强人好多呀  受教了

请问这位达人,你所说的仿真使用的是什么工具,什么名字,高频仿真不了吧?

关键还是特征阻抗的变化
2w以后的特征阻抗,就不会偏太多了

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