关于MTK平台的射频芯片MT6139的几个问题

1.MT6139的26M用的是crystal,为什么没加负载电容?
2.用6139，在校准的时候需要经过一项叫做cap id的校准，是做什么用的?
3.cap id校准出来的参数是什么意思?

每个晶振都又物理上的偏差，CAP ID就是校准这种偏差的，补偿是用6BITS，所以是0-63，

我的理解：晶体当然要有负载电容，只是6139平台的负载电容是集成在内部的，其实是一个电容阵列和变容二极管的并联，这些电容的选择就是靠CAP-ID值。
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cap id就是指cap的数量

cap id应该不是指cap的数量吧
6个电容，容值为C1,2C1,4C1,8C1,16C1,32C1
cap id是六进制0-63,假设为n
刚好控制是否并联某个电容
使得负载电容值在nC1+C0
起到调整负载电容以适合晶体内部偏差的作用
好像MTK建议n为22-28吧

1.MT6139的26M用的是crystal,为什么没加负载电容?
MTK认证的Crystal的负载电容都是8.5pF左右，当cap id调到中间范围(22-34,因为cap id与频率不是线性关系，所以中间范围不是32左右)，AFC DAC调到4096左右(0-8191)是6139的pin 21输出电容为8.5pF左右，所以layout要求降低crystal部分的寄生电容
2.用MT6139，在校准的时候需要经过一项叫做cap id的校准，是做什么用的?
MT6139调整26M频率的方式有两个，即cap id和afc。
cap id是写在nvram里的6bit数，即0-63，用来控制MT6139 vcxo部分的可编程电容阵列的电容，从而调整VCXO的振荡频率。cap id值只有在自动校准或者手动修改时改变，也就是正常使用时cap ip不会随着环境等因素改变，因此校准cap id称为静态频率误差校准
afc实际上是通过改变与可编程电容阵列并联的变容二极管的电压，改变其电容，从而改变vcxo的谐振频率。校准后的数值为：initial value(Rx freq. error 最接近0时的afc值)与slope，其描述的是一条Rx freq.error随着afc变化的直线。手机正常工作时，会根据Rx频率误差()和afc曲线调整afc，使Rx频率误差尽可能小。因此校准afc又称为动态频率误差校准。
tx afc offset：如果Tx使用与Rx一样afc进行发射，频率误差会比较大，Tx afc offset就是校准Tx freq.error最小时afc与Rx afc之间的offset.
3.cap id校准出来的参数是什么意思?
上面已经回答过了。

懂了

请问在校准时ＣＡＰ＿ＩＤ又是如何算出来的啊　?是否跟ＡＦＣ　ＤＡＣ有关?

我想问下CAP ID是什么?谁能解释下，谢谢

感谢lovrf

谢谢！刚碰到capid的问题