微波EDA网,见证研发工程师的成长!
首页 > 研发问答 > 手机设计讨论 > 手机射频设计讨论 > 背光影响调制谱,请高手来支个招呀!

背光影响调制谱,请高手来支个招呀!

时间:10-02 整理:3721RD 点击:
最近有个项目,背光是采用MT6318的,结果发现在屏幕背光亮的时候,调制谱+ -800k的地方调制谱超标,当屏幕背光半亮,灭或拿掉屏幕的时候调制谱恢复正常!调整了下VBATT的电容,MT6138A2A34脚的电容,没什么大的改善,请高手来支个招呀!

我们也碰到了,换下钽电容就好,想彻底改善可以考虑在A2 A34脚与VABT之间加磁珠,LAYOUT走线注意不要把背光的VABT和RF的VBAT走一路!

你们是不是用的MT6318的charge pump作为背光的driver那?
MT6318的切换频率为400kHz,比较容易泄漏到VBAT上。
在charge pump和 VBAT之间加大电感或者加大的对地滤波电容可以解决,楼上的加bead方案也可以,
但是这个直需要小心选择。等效电阻比较大的bead效果可能好些。或者是
直流电阻直比较大的。

谢谢2楼和3楼回复。我试试看,有新进展再告诉大家!

好问题,我也碰到过这个问题.

了解了,谢谢。

5楼你以前是怎么解决的?

把钽电容换成陶瓷的电容,加大背光电阻,有点改善,但余量比较小!

LZ有没有试过 2楼说的彻底解决的方法 看看有多大的改善、多少的余量呢?

2#说在A2 A34脚与VABT之间加磁珠,这个怎么加?

当时看的时候没有原理图,6318的PWRIN4(A5 B5 C5 D5)这几个PIN是给背光供电的,可以把这里接磁珠再接到VBAT。不好意思,刚开始说错了。或者把这里的VBAT的滤波电容加大看看。

又是6318出来害人了!

看来大家都是这样弄的。

Copyright © 2017-2020 微波EDA网 版权所有

网站地图

Top