请教关于DCS最小功率等级的PVT底噪问题。
2、P15底噪本来就已经很差了，但是发现，加了屏蔽罩以后，要比不加的时候差1、2个dB?不知道是什么原因。感觉transceiver，受屏蔽罩的影响较大。
请大家发表意见，谢谢
我以前也遇到过加屏蔽更差的情况，
我个人认为：加屏蔽以后会形成一个反射面，将发射端的部分功率反射到了输入端而造成躁声增大．请各位达人发表意见
有没有试验将VMOD ON的TIMING设为比VRAMP早一点点。
现在你的VMOD ON 信号可能比VRAMP早打开22us（通常情况）
在这个22us里面，噪声可能很大亚。
小编认为使rx回路泄漏造成得，我觉得应该验证一下，
我以前也遇到类似问题，同样怀疑可能是vmodon,
但是txen没有打开的这段时间内，asm处于接受状态，所以噪声
为rx回路泄漏。但是我把可能造成影响的rx回路从asm断开以后，
情况没有改变，这就说明不是rx泄漏造成的。
可能是由于在vramp没有信号之前， dcs tx有噪声造成的。
所以可以将vmodon和vramp打开之间的时间尽可能的减少，
然后看看是否有改善。期待你的进一步测试结果！
在非信令模式下，我把DCS的接收回路断开，然后只打发射，此时的低噪就比之前好了很多。所以这个，基本上是由于DCs的接收回路的泄漏造成的。
另外，MTK的工具META好像不能用来改时序的吧?我也不知道这个平台怎么改时序?
我说的修改时序需要修改手机的软件。
这个时序是由软件控制的。
1、个人感觉这个有些讲不通，发射底噪，尤其在DCS小功率级别（-36dBm左右），主要影响因素应该是在PA和FEM的隔离度上面；
2、如果LZ坚持怀疑Tx干扰Tranceiver，可以考虑如下验证方式：将PA DCS输出，与Tranceiver的DCS输入一段差分信号用同轴电缆引出，分别由两个端口进入CMU，然后建立通话，看现象昂是否仍然存在。这样PA out信号基本不会再对Tranceiver有所影响。
3、个人更关心LZ所使用的PA与FEM型号厂家，不知是否方便透露。
我把我做的实验再阐述一遍：首先，刚开始就是信令模式下打电话，DCS的P15 885信道的低躁是很差的。然后，我将DCS的接收回路上差分那两根线都断开，也就是把DCS的接收回路断开了，然后低躁就相当好了，提高了很多很多。所以，我判断是接收回路泄漏造成的。我觉得是，PA打开前，由于Transceiver已经打开，Transceiver的输出耦合到它的输入端，然后通过接收回路泄露出来了。
我没有说是PA TX干扰了Transceiver,事实上，在另一个项目上，用同样的PA和ASM，低躁是好的，所以和PA和没多大关系。所以要提高低躁，从根本上来说就是要加强收发隔离，或者就是控制Transceiver和PA打开的时序。
不好意思，不知道你的具体实验过程，做出错误的判断。
LZ提出的解决问题的两个思路：加强收发隔离、控制Transceiver和PA打开的时序
加强收发隔离：ASM本身没有问题的话，那只能在走线和布局上面做出修改；
控制Transceiver和PA打开的时序：PA本身好像就有关于控制信号和射频输入信号的时序要求，过分修改的话，或许在PVT上有所改善，但是在谐波等问题上会有恶化。
另外，问一下，LZ使用的是否是Skyworks 77328、77318 PA，貌似听说过这样的问题。
查看下asm的vc1;vc2;vc3,的逻辑开关设置，
在pcs打开时，dcs低有效，
或许有些改善
谢谢，不过是双频的，没有PCS，所以不存在PCS干扰DCS的问题。
我们公司的一个产品也遇到了这个问题，还一直没解决呢，那位高手给点见解呀
精彩！
会是从收串过去的吗?你的PVT在低噪一直是高的?还是有个台阶
我也遇到过类似的问题，在512信道问题比较严重，在上升沿余量非常小，在下降沿还好，分析的结果是PA虚焊（PA的地焊接不充分），拆下加锡重焊后就好了，不妨试一下，试过的请给出验证结果。
Forward isolation 1问题
解决办法
1： layout上加强隔离（地，信号线），选用收发隔离度好的ASM/FEM
2： 如果TXVCO tank和PLL 速度够的话，推迟transceiver输出时间，不过MTK（6129，6139）不可行，Aero2是可以的。
弱弱的问一句
TX和RX工作在不同时隙，怎么会产生互相干扰的?
困惑很久了。
这情况我也遇到过，PCS没开，批量状况（排除PA虚焊）都是DCS 512 上升沿过高，下降沿正常。好的情况也是余量比较小。
FEM的PCS路做了处理，还是没有改善。TRANC 的 VCCRF滤波电容也有影响。也是断开DCS RX（摘除SAW或断开2路差分线）就变的完全正常了。
高手请详细指教啊~！
我也遇到过这种情况，也作过一些实验，强制发射，或着用手放在SAW上面，RAMP回好很多，有一种方法是牺牲下灵敏度，把SAW后面的两个小电容改动以下
TX和RX工作在不同时隙，怎么会产生互相干扰的?
困惑很久了。
是不是这个问题太简单了，没人愿意回答?
我也刚遇到这种问题，觉得隔离度的可能性更大点，但不知有什么解决办法没有
LZ的分析和试验 都是对的。 找个好点的ASM。和PA是没有关系的，前向隔离的话，目前市面上几家PA都差不多的指标，ASM的隔离就很参差了
SKYWORKS的pa还好呀，renesas的pa更差的，这个跟pa也有关系，但是如果是同一个pa的话，那就可能是屏蔽罩的地没有单独分开的原因，所以才干扰到minipower的，我前天也遇到这样的问题，但是我仅仅只改了"TC—PA"之间的匹配就搞定了，你的我不确定是不是一样的原因引起的，你自己多多摸索，别人给的建议仅供参考，和你的问题不一定完全吻合。
这个问题碰到的人太多了，原因各异，关注
原来遇到过这样的问题,调Transceiver到PA的匹配搞定.
修改时序在那里修改阿?高通的wcdma怎么改?
支持啊！~~
我觉得是，PA打开前，由于Transceiver已经打开，Transceiver的输出耦合到它的输入端，然后通过接收回路泄露出来了。
这句话说得我有点晕，PA没有打开之前，有PA隔离，天线开关隔离，Transceiver的输出怎么还会耦合到它的输入端，就算有这样的影响应该非常小才对啊。请高人们解释一下
学习中........................
修改时序在那里修改阿?高通的wcdma怎么改?
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qualcomm的gsm时序是非常昊修改的。 提供各种nv item。pa stat/stop offset等。
射频工程师是可以自己修改
至于wcdma，好像没有这个问题吧。wcdma是连续波，不是burst方式亚
MTK的怎么解决，会不会调节收的匹配会好一点！
怎么着样啊/////////////！111
问题基本是在pa上.dac的稳定,以及pa在低功率等级下的线性等.
说一下我的情况和结果，希望对大家有所帮助：
我用的是MT6129，也是在DCS的CH512那边PVT底噪很高，距离mask只有4dB左右的余量。
这个现象在我更改DCS的发射路径的匹配之前是没有这么严重的，至少有十几dB的余量。
这说明不同的匹配对PVT的噪底是有不同的影响的，这在我后来的实验中也得到了验证。
可惜的是由于多种原因，我们现在只能使用PVT有问题的那组匹配，所以只能从别的地方下手。
中间尝试过了更改屏蔽罩的形状、对接收部分单独进行屏蔽等等，效果都不明显；
最后尝试了在屏蔽罩上贴铁氧体薄膜(NFC天线作隔离金属用的那种)，发现效果还是不错的，依厚度不同，大概能有七八dB到十几dB左右的改善。
根据我的实验结果，就算原来已经非常靠近mask，贴0.1mm厚度的那种铁氧体薄膜也能有不错的余量了。