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面试的一些题目,各位是不是牛人自己来看吧!

时间:10-02 整理:3721RD 点击:
1.射频线一般走多宽,微带线一般如何处理。差分线怎么走,线间距一般是多少。
2.PA供电一般走多宽,W和GSM分别都是什么范围。
3.WCDMA及TD的输出端加的SAW的作用主要作用是什么。
4.如果W的ACLR 指标不好,那么该怎么调。
5.W的双工器的隔离度一般是多少
6.如果某频段的接收灵敏度不平,如高信道好,低信道差,该调哪里。
7.校准的原理,包含APC,AGC,AFC校准。
8.W或TD手机呼叫的流程。
9.W的手机调哪里才能让发射收敛。
10.TX noise的问题一般如何解决。
11.desence 的问题的解决思路一般是什么。
12.手机功率耦合器的作用是什么,有的是每个PA都有耦合器,有的是在输出端一个耦合器,区别是什么。
13.手机射频系统架构。
14.各通信制式的灵敏度如何确定的。
15.如何让GSM 手机在4个频段上自动切换,顺序是什么。
16.VCTCXO和crystal的区别是什么,校准的方式分别是什么。

1.射频线一般走多宽,微带线一般如何处理。差分线怎么走,线间距一般是多少。
~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~
射频线宽现在都用软件来算了,对工程师来说要知道板子的介电常数和堆栈结构就可以了。对差分线的走法就是尽可能的靠近与对称。
2.PA供电一般走多宽,W和GSM分别都是什么范围。
~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~
这个经验值居多,理论值可以这样计算,假设知道PA输出的功率为Pout,此时PA的效率为E,PA的供电电压为V,信号的峰均比为PAR,那么I=Pout*PAR/(E*V),我记得有个线宽与电流的对应关系表W(I),这样就可以得到具体的线宽,当然还需要考虑适当的设计余量。
3.WCDMA及TD的输出端加的SAW的作用主要作用是什么。
~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~
SAW因为存在功率容量,所以通常家在Tranceiver,无论是WCDMA还是TD,Tx加SAW有着如下好处。
a.抑制发射杂散。
b.改善Tranceiver与PA直接的隔离或者匹配
c.对于WCDMA,还可以降低Tx到RxBand noise,有助于改善灵敏度。
4.如果W的ACLR 指标不好,那么该怎么调。
~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~
首先需要确认ALCR的来源,是PA还是Tranceiver,需要做如下工作:
保证PA在高增益的情况下,降低tranceiver的发射功率,例如把天线口的输出功率降低为10dBm/18/21/22/23/24,分别记录ACLR1/2/3/4/5/6,因为ACLR差可能是包含了Tranceiver与PA的共同作用的结果,所以需要仔细分析以上记录指,多参考下datasheet或者评估测试结果可以辅助分析。不过可以确定的是,如果ACLR@10dBm都不好,那么Tranceiver肯定有问题,确认LO相位噪声不太差的情况下,估计是就匹配的工作了。

5.W的双工器的隔离度一般是多少
~~~~~~~~~~~~~~~
40dB? 经验值,提这个问题不如提W的双工器的隔离度理论值需要是多少!
6.如果某频段的接收灵敏度不平,如高信道好,低信道差,该调哪里。
~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~
这个问题似乎的挺玄,如果你有Switch+SAW+PCB的版图,你可以在ADS里面做个仿真,对于你解释灵敏度不平很有帮助,这个问题就是匹配优化问题。
7.校准的原理,包含APC,AGC,AFC校准。
~~~~~~~~~~~~~
原理没啥好说的,这三个校准里面,难度最高最费力的应该是APC,以前APC用analog Voltage的时候,还存在曲线拟合的问题,现在应该不需要这么复杂了。
8.W或TD手机呼叫的流程。
~~~~~~~~~~~~
个人觉得这个面试官很bt,又不是做协议栈的,干嘛射频工程师为难射频工程师!
9.W的手机调哪里才能让发射收敛。
~~~~~~~~~~~~~
匹配电路的Q值问题,调匹配网络的时候,不要Q值太高。
10.TX noise的问题一般如何解决。
~~~~~~~~~
要解决一个问题,你的首先要明确问题,哪里的Tx noise?具体值?CW noise? modulated noise?  Offset Carrier多少频率?WCDMA/TD?发射杂散过不了还是影响了Rx 没有明确问题,实在无法“一般”解决。有些问题其实很bt,有时候你要把问题踢给面试官。
11.desence 的问题的解决思路一般是什么。
~~~~~~~~
a.明确被desence的信道,是单信道还是多信道,被desence的信道是否存在这逻辑关系?恶化程度存在什么规律?
b.根据测试结果分析干扰源,是单音还是调制?是时断时续还是常态被干扰?
c.定位干扰源,分析…………

12.手机功率耦合器的作用是什么,有的是每个PA都有耦合器,有的是在输出端一个耦合器,区别是什么。
~~~~~~~~~~~
功率控制。差别在于
a.插损不一样。插损意味着功耗、线性度、散热……
b.成本不一样,面积不一样……
13.手机射频系统架构。
~~~~~~~~~~~~
好无聊的问题啊…………

14.各通信制式的灵敏度如何确定的。
~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~
基础题,正常人都应该答出来,至少知道公式,如果面试到最后问这个问题,真的无话可说……
15.如何让GSM 手机在4个频段上自动切换,顺序是什么。
~~~~~~~~~~~~~~~~
这个似乎是了解你对8960的熟悉程度? 不清楚
16.VCTCXO和crystal的区别是什么,校准的方式分别是什么
~~~~~~
期待答案

这面试题目就像期末考试,难以觅得牛人。

深挖洞, 广积粮...

我没说都错了啊 。

主要是深挖深挖啊

如果这样的话, 那你回答面试官的就应该是正确的了呀 :)
为何他还期待别的答案呢 ?

接收一般都有SAW,主要是RF的,现在一般都是零中频了,而且都是在芯片内部,搞个低通就行了。
SAW加在哪,我上面也说了,PA前后都有。
用SAW一般就是提供高的带外抑制和小封装,还是有好的温度特性吧。介质貌似比较大,而且温度特性不好。具体的大家就查资料吧。

继续提问,W都是有双工器的,但是W的各个频段上下行频率间隔不同,那么此时各频段的双工器的隔离度肯定就有所不同,比如BAND 1的隔离度是多少,BAND5的隔离度是多少。大概都在什么范围。
因为双工器本身就是集成了滤波器在里面,所以W的PA后面一般就不用SAW了,GSM的多数还是需要的,W的SAW有的是加在TRX和PA之间。大家都是那种方案,出于什么目的,各种方案的参考依据是什么。
其实很多问题都是需要挖一挖的,大家不要看简单就过去了,能把他彻底弄明白才是王道。

3. SAW
请问, 在接收时用了SAW吗? RF的还是IF的呢 ?
      在发射时,是末级最后才加的SAW吗 ?
感觉只会滤除天线口出来的东东, 而不会减小板子上TX对RX电路的影响的啊.
另外为什么用SAW呢 ? 不能用其它如介质滤波器吗 ? 从这个角度能发现什么吗 ?
头脑风暴...

哈哈,说的是啊。不过前提是大家的讨论足够深入,让我能从中总结出比较精华的东西。
不过这些都很熟的20K应该是没啥问题的,当然了,不说base,package的肯定有了。

严重感谢ing...
等你整理出来后, 大家都20K+了
一定不能忘记给你提成啊 :D
一个提个2K/月给你....爽

顶上去!
对于差分线,大家走的是什么走的,按线距来讲是1.5-2倍线宽左右,耦合度应该是15DB左右吧。谁能详细的再介绍下。

呵呵,BOBO 同学是我们这里的射频工程师里硕果仅存的精华,但是没办法啊,整个公司的氛围和平台的高度就这样啊。
前两天我们的一个项目的BFI坏帧指示不过,MTK也是怀疑nhb同学说的那个地方,同时问我们的TX noise是多少,最后也是没有头绪~~

呵呵,放假了都没人来了,大家努力把帖子顶上去,我觉得参与讨论的朋友们说的都不错,但是我们还是需要一起再深挖一下,nhbcxglh 同学对于每个问题的答案都比较合理,但是并不细致,如果这么回答的话,面试官是不会认可的。
比如TX NOISE的问题,你说调节VCTCXO,那么原因是什么呢?毕竟频率误差肯定在合理范围内了,影响测试项的方式和原理总是要讲出来的。

14题,对于TD和W加上一个扩频增益吧,因为SNR都是负数了。
15.你确定是如此吗?面试官说900是个媒介,而且要在8960上作一个设置。

恩,我也是这么理解的。因为SAW在发射频率处有很好的频率选择性,可以滤除泄露在RX band的杂散。但是saw的远端特性并不好,而且离发射频率远的地方,信号泄露也低,所以重要程度不及SAW在rx band位置的抑制。

手机来讲,板子厚度,介电常数等都差不多,比如走微带线,第二层铺地,那么厚度大概是0.1左右,如果第二层挖地第三层为主地,那么线宽0.2-0.3左右,虽然有限制因素,但是普遍的范围应该是差不多的。此外跟你的频率并没有关系。

3.WCDMA及TD的输出端加的SAW的作用主要作用是什么。
抑制带外杂散
有一项是TX noise in RX band,W不是时分的,如果不加TX SAW的话,发射会干扰接收的灵敏度;TD的和GSM是类似的吧,规范里有这么一项要求,如果TC不好,就会超标。
猜测而已
回复的人这么少,而且还都是昨天的,大家今天都放假的啊

射频走线一般多宽,这个应该是由工作频率,板材介电常数,厚度等确定的吧。

哎,都不会呀,惭愧啊

14   灵敏度=-174+ 10lgBW + NF + SNR(可以解调的最低门限)
15   切换顺序  900-1800-1900-850

3.我也说是抑制带外杂散,但是面试官的意思好像不是。
9.收敛的问题,在史密斯图上,整个带内分散于很大的区间,收敛就是让带内的阻抗收敛在尽量小的区间,这样便于阻抗匹配和高低信道的性能保持一直。
10.tx noise 是tx noise in rx band,所以滤波器是不现实的,作不到那么陡。
11.desence就是共存测试,比如蓝牙对GSM的干扰==。
12.耦合器作用是功率检测是一定的,但是功率检测的目的是什么?一般来讲是高功率下闭环功率控制精度。但是两种方式的区别就是耦合器的数量上,PA单独配置的耦合器耦合的平坦度比较高,对于单一耦合器,需要很宽频段的耦合,校准比较复杂,但是不确定是不是答案。
15.GSM在自动测试时,不需要手动切换,可以4个band连续测试,是什么顺序,仪器需要做什么设置,比如900切到1800 然后......

大家对于问题不清楚的我可以帮忙解释一下,但是很多我也是没有明确答案的,所以来这里集思广益,然后整理一份给大家。

好贴,我邮箱: ninghaibo@bbktel.com.cn
在这里先试着回复一些感兴趣的:
3.WCDMA及TD的输出端加的SAW的作用主要作用是什么。
抑制带外杂散
4.如果W的ACLR 指标不好,那么该怎么调。
调PA输入输出匹配,PA bypass 电容是否OK,IQ信号可以考虑滤波、查TC内部相关相关寄存器设置是否正确,查VCTCXO输出的幅度、质量。
6.如果某频段的接收灵敏度不平,如高信道好,低信道差,该调哪里。
调接受通路匹配
7.校准的原理,包含APC,AGC,AFC校准。
APC校准,就是搜索一个合适的APC DAC值使得功率为目标功率
AGC,主要是校准couple loss
AFC,主要取两点,得到AFC DAC值与频率之间的直线关系

9.W的手机调哪里才能让发射收敛。
发射收敛是什么意思?couple loss 校准准确就可以了吧,其它应该是方案算法问题了吧
10.TX noise的问题一般如何解决。
TX通路加滤波,检查bypass 电容、VCTCXO、
11.desence 的问题的解决思路一般是什么。
desence什么意思?
12.手机功率耦合器的作用是什么,有的是每个PA都有耦合器,有的是在输出端一个耦合器,区别是什么。
作用是功率检测,区别不知
14.各通信制式的灵敏度如何确定的。
在哪里见过这样一个公式,符号速率、带宽、调制方式决定了
15.如何让GSM 手机在4个频段上自动切换,顺序是什么。
不解?
16.VCTCXO和crystal的区别是什么,校准的方式分别是什么。
前者直接输出时钟,自带温度补偿,crystal是晶体,需要配合有源电路才能震荡。MTK平台校准无大的区别。, 小编找到答案了要回复出来啊

好贴,我邮箱: ninghaibo@bbktel.com.cn
在这里先试着回复一些感兴趣的:
3.WCDMA及TD的输出端加的SAW的作用主要作用是什么。
抑制带外杂散
4.如果W的ACLR 指标不好,那么该怎么调。
调PA输入输出匹配,PA bypass 电容是否OK,IQ信号可以考虑滤波、查TC内部相关相关寄存器设置是否正确,查VCTCXO输出的幅度、质量。
6.如果某频段的接收灵敏度不平,如高信道好,低信道差,该调哪里。
调接受通路匹配
7.校准的原理,包含APC,AGC,AFC校准。
APC校准,就是搜索一个合适的APC DAC值使得功率为目标功率
AGC,主要是校准couple loss
AFC,主要取两点,得到AFC DAC值与频率之间的直线关系

9.W的手机调哪里才能让发射收敛。
发射收敛是什么意思?couple loss 校准准确就可以了吧,其它应该是方案算法问题了吧
10.TX noise的问题一般如何解决。
TX通路加滤波,检查bypass 电容、VCTCXO、
11.desence 的问题的解决思路一般是什么。
desence什么意思?
12.手机功率耦合器的作用是什么,有的是每个PA都有耦合器,有的是在输出端一个耦合器,区别是什么。
作用是功率检测,区别不知
14.各通信制式的灵敏度如何确定的。
在哪里见过这样一个公式,符号速率、带宽、调制方式决定了
15.如何让GSM 手机在4个频段上自动切换,顺序是什么。
不解?
16.VCTCXO和crystal的区别是什么,校准的方式分别是什么。
前者直接输出时钟,自带温度补偿,crystal是晶体,需要配合有源电路才能震荡。MTK平台校准无大的区别。

那要是全不会是不是就2k-了....

看完问题任何资料都不用找,直接发答案的肯定在20K+ 。这个帖子小编可以置顶或者加个精华,让大家都进来讨论讨论,我也发到手机射频区了。一个月之后我会把所有问题的答案都整理出来,没有答案的,我会查资料补上。参与讨论的免费给答案,先到先得啊!

没有一个会.....
要会这些需要看些什么资料呢?

真实的面试问题,等我有想起来的再补充,大家自己看吧,反正很多搞不定,惭愧惭愧。

都不会呀

不过问题的顺序或者是内容肯定不能完全是一致的,你这么评价面试官我要是万一去了以后岂不是很惨。

楼上的小编,其实很多问题也许面试官都不是要你简单的给个答案,主要是看你分析的角度还有深度。小编其中几个问题分析的很精彩,我想这就是面试官想听到的吧。我发这个帖子也就是想听到这样的分析,学习了!

高人真不少,学习了,谢谢

lz,过去一个月了哦,我回复一下等答案啊,
邮箱: dengguo1987@126.com
1.射频线一般走多宽,微带线一般如何处理。差分线怎么走,线间距一般是多少。
微带线参考第二层一般走0.1 ,参考第三层0.2-0.3,一般要预留2倍线宽给板厂做调整。差分线等长等距,做不到以等长优先,间距一倍线宽为佳。
2.PA供电一般走多宽,W和GSM分别都是什么范围。
根据PA最大需要多少供电来算,GSM最大电流达到1.5A,一般走线在1.8mm以上,而且要从vbat星型拉线过来。W不太清楚,应该同样的道理。
4.如果W的ACLR 指标不好,那么该怎么调。
调整PA的输入和输出匹配,同时加大PA电压bypass电容优化。
6.如果某频段的接收灵敏度不平,如高信道好,低信道差,该调哪里。
调整优化接收通道匹配
12.手机功率耦合器的作用是什么,有的是每个PA都有耦合器,有的是在输出端一个耦合器,区别是什么。
耦合器的作用功率检测和功率控制,具体区别应该跟频段选择有关系,可以减小成本吧。
15.如何让GSM 手机在4个频段上自动切换,顺序是什么。
顺序是900-1800-1900-850,这个在天线厂用8960测四频天线OTA时要这样切换,要不然会掉线,具体为什么就不清楚了。
16.VCTCXO和crystal的区别是什么,校准的方式分别是什么。
VCTCXO直接输出时钟,自带温度补偿,crytal需要加负载电容才能起震,主要区别在于价格吧,成本相差挺大的。 校准的方式MTK上没有很大的区别。
个人根据本人的经验给上面的问题做了一些回答,W的不是很了解所以没有回答。

fengmo44,我的邮箱zhonghongyao16888@126.com

太厉害了

不会吧!这么简单的问题都能20K+啊!我不是手机行业的,看来手机行业的工资就是高!

花了点时间写写:
1.射频线一般走多宽,微带线一般如何处理。差分线怎么走,线间距一般是多少。
-------------
完全根据你选择的叠层结构,介质的介电常数,走的层和参考层来决定(当然还有铜厚,绿油厚度,间距等),随便拿个阻抗控制软件算下就知道了。没人会闲的推公式玩吧,没有意义。微带线的clearance最好两倍线宽,如果不够,按共面波导算。 差分线尽量等长等距,间距一倍到两倍线宽都行。
但是要注意一下几点:
a.走线长度,如果板子上的走线太长,需要考虑损耗的影响了,所以尽量不要走太细。
b.不连续节点,如果设计中串联件太多,可以考虑走粗点,减小不连续节点,比如把微带变成共面波导。当然坏处就是引入了一个容限的变量,阻抗分布的散度会 变大。
c.板厂的容限,算出来的都是理想的,需要考虑实际生产的限制,比如你走60um的线有的板厂做不出来。
最后唠叨一句,阻抗控制可以让板厂帮忙,毕竟理论和实际是有差距的。
2.PA供电一般走多宽,W和GSM分别都是什么范围。
-------------
可能很多人会直接给个数,比如1mm 或者 0.8mm之类的。其实我们为什么要走宽电源线,根本原因是减少不必要的压降,使得PA工作在过低的电压条件下,降低性能。压降怎么来的,那就是PA工作的直流电流乘以走线的电阻。走线电阻是50mohm,GSM DC电流2A,那压降就0.1V。
a.        走线电阻有关的参数是,铜厚,线宽,线长。
b.        PA的直流电流? 这个。50ohm的时候和负载失配的时候区别很大。 GSM失配的时候可以到2A甚至更高(工作slot的峰值)。
所以对于这个走线的评估应该是,首先看器件spec了解需要工作的DC 电流,然后工作电压的允许压降,VBAT走线的线长,最后知道要走多宽。
3.WCDMA及TD的输出端加的SAW的作用主要作用是什么。
-------------
?这个是说PA输入端的那个SAW吧?
PA输入端加SAW很好理解,就是因为PA的非线性等于一个混频器,W、TD的Transceiver里面的DA也不干净,所以要在混频前滤掉。
很久没看过W了,个人认为主要是改善灵敏度,至于带外杂散,有些作用,但主要是PA的性能决定,何况后面还有duplexer呢。
a.        降低TX 在Rx band的noise
b.        降低TX在RX band镜像band的noise (过了PA会被交调到RX band)
当然如果提高transceiver和Duplexer的性能也可以去掉这个SAW,不过往往不显示,经常是由于走线的问题导致无法做好收发隔离。
4.如果W的ACLR 指标不好,那么该怎么调。
-------------
和厂家要loadpull,看ACLR圆的位置,当然还要做电流,功率的tradeoff。属于脏活累活的说。
5.W的双工器的隔离度一般是多少
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记SPEC不是目的,关键要明白这值大小有什么区别,但是就像之前说的,走线对于隔离很重要很重要。
6.如果某频段的接收灵敏度不平,如高信道好,低信道差,该调哪里。
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不如问匹配方法或者仿真经验,包括如何优化仿真精度以及容限控制。
7.校准的原理,包含APC,AGC,AFC校准。
-------------
这个有意思,说白了校准的目的就是通过软件补偿的方式抵消器件性能分布的累加。
而且RD的校准和生产校准差别很大,甚至可以用完全不同的方法实现, 生产校准往往需要在时间和精度上做tradeoff。
APC的难点就是拟合功率控制曲线,根据不同PA决定是否校准CH。
AGC 基本都是两步,第一步用Mid CH来确定Gain的设置, 第二部校准CH平坦度,这里的难点是要选对合适的ch,争取选到波峰波谷的位置来拟合整个带内的相应。
AFC 大多平台就是通过粗调来 补偿误差(包括Xtal,芯片和寄生电容),然后把精调设置到中心点,保证足够的pulling range。

8.W或TD手机呼叫的流程。
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明白这个有什么用,出了协议的问题你RF工程师能改代码搞定?
邪恶的想了一下,这个出题的家伙不会是想问如何连接测试设备吧。-_-b 汗。
9.W的手机调哪里才能让发射收敛。
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这个期待高人回答,
我的理解是如果从WPA看向天线是S11,天线看向WPA是S22
对于S11来说靠近WPA的匹配控制阻抗的位置,靠近Duplexer的匹配控制收敛
对于S22来说靠近Duplexer的匹配控制阻抗的位置,靠近WPA的匹配控制收敛
10.TX noise的问题一般如何解决。
-------------
a.如果是整个RX band  noise都很差
同理3,了解了RX band noise 的来源就知道了。组成部分有3个,PA热噪声+ RX inband 被 PA放大的噪声+ RX 镜像band被PA放大的噪声。
最简单的方式就是加TX SAW,当然了那是很早以前的方案了。
现在只需要进行简单的一个链路预算,看看transceiver分别在RX inband和RX image band的噪声,已经PA在RX inband的增益以及在镜像band的转换增益,就知道谁是瓶颈了。
b如果底噪没问题,exception超标。
那就需要一个一个的研究每个exception点是怎么出来的,比如936MHz一般都是时钟频率的倍频点。 有的是CW+/-26MHz 等等。往往这些交调出来的exception都可以通过优化layout来解决。
11.desence 的问题的解决思路一般是什么。
-------------
说起来就3步:
a.        寻找并确定干扰源:(比如用环形天线近场扫描,只有能发射出来的才叫干扰,大部分干扰的发射都是器件的非线性导致的)
b.        隔离干扰源:(比如贴铜皮,吸波材料,换其他厂家器件等)
c.        寻找解决方案 (调整layout,加电容,磁珠,LC,RC等)
12.手机功率耦合器的作用是什么,有的是每个PA都有耦合器,有的是在输出端一个耦合器,区别是什么。
-------------
耦合器就是做功率检测用的,功率检测的目的就是功率控制。而功率控制的精度由耦合器的定向性来决定。
见得方案都是每个PA带耦合器然后串菊花链的方式连接。没见过最后一个输出端的方式。
有这种方案的童鞋不妨贴个图开开眼界。
13.手机射频系统架构。
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如果不会这个就不用去面试了
14.各通信制式的灵敏度如何确定的。
-------------
这个是最好准备的题目了。而且一般还会拿GSM做一个带入口算一下。
15.如何让GSM 手机在4个频段上自动切换,顺序是什么。
-------------
不解,这个和RF设计有神马关系。
个人谨慎猜测850-1800不能切换的原因是因为开发测试系统的时候,没有850和1800共存的网络。但是貌似现在巴西已经有850/900/1800的网络了吧。

16.VCTCXO和crystal的区别是什么,校准的方式分别是什么。
-------------
字面翻译:压控温补晶振和晶体,一个是振荡器,一个是振荡器的组成部分。
VCTCXO一般都是通过AFC的电压来调节pulling的范围,最后校准得到一个中间的电压对应的DAC值。
XTAL一般是通过芯片里的电容阵列的控制调节pulling的范围,最后得到电容配置的一个DAC值。
当然早起的时候也有过用Xtal加可变电容器直接调AFC的方案。

我的邮箱:a836130519@163.com

fengmo44去哪家面试?

高人真不少,学习了,谢谢

这个帖子就这么沉了?

看完这些题,我感觉如果是我来回答,一定能把面试官气死。

各位大牛,小弟只剩下膜拜了。

我是来看小编总结的答案呢

好像都很牛逼的样子

好難的題目啊

好帖子
总结下
1.射频线一般走多宽,微带线一般如何处理。差分线怎么走,线间距一般是多少。
~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~
射频线宽现在都用软件来算了,对工程师来说要知道板子的介电常数和堆栈结构就可以了。对差分线的走法就是尽可能的靠近与对称。按线距来讲是1.5-2倍线宽左右,耦合度应该是15DB左右?
2:完全根据你选择的叠层结构,介质的介电常数,走的层和参考层来决定(当然还有铜厚,绿油厚度,间距等),随便拿个阻抗控制软件算下就知道了。没人会闲的推公式玩吧,没有意义。微带线的clearance最好两
倍线宽,如果不够,按共面波导算。 差分线尽量等长等距,间距一倍到两倍线宽都行。
但是要注意一下几点:
a.走线长度,如果板子上的走线太长,需要考虑损耗的影响了,所以尽量不要走太细。
b.不连续节点,如果设计中串联件太多,可以考虑走粗点,减小不连续节点,比如把微带变成共面波导。当然坏处就是引入了一个容限的变量,阻抗分布的散度会 变大。
c.板厂的容限,算出来的都是理想的,需要考虑实际生产的限制,比如你走60um的线有的板厂做不出来。
最后唠叨一句,阻抗控制可以让板厂帮忙,毕竟理论和实际是有差距的。

2.PA供电一般走多宽,W和GSM分别都是什么范围。
~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~
这个经验值居多,理论值可以这样计算,假设知道PA输出的功率为Pout,此时PA的效率为E,PA的供电电压为V,信号的峰均比为PAR,那么I=Pout*PAR/(E*V),我记得有个线宽与电流的对应关系表W(I),这样就可以得
到具体的线宽,当然还需要考虑适当的设计余量。
回复2: 手机来讲,板子厚度,介电常数等都差不多,比如走微带线,第二层铺地,那么厚度大概是0.1左右,如果第二层挖地第三层为主地,那么线宽0.2-0.3左右,虽然有限制因素,但是普遍的范围应该是差不多的
。此外跟你的频率并没有关系?
可能很多人会直接给个数,比如1mm 或者 0.8mm之类的。其实我们为什么要走宽电源线,根本原因是减少不必要的压降,使得PA工作在过低的电压条件下,降低性能。压降怎么来的,那就是PA工作的直流电流乘以走
线的电阻。走线电阻是50mohm,GSM DC电流2A,那压降就0.1V。
a.        走线电阻有关的参数是,铜厚,线宽,线长。
b.        PA的直流电流? 这个。50ohm的时候和负载失配的时候区别很大。 GSM失配的时候可以到2A甚至更高(工作slot的峰值)。
所以对于这个走线的评估应该是,首先看器件spec了解需要工作的DC 电流,然后工作电压的允许压降,VBAT走线的线长,最后知道要走多宽。

3.WCDMA及TD的输出端加的SAW的作用主要作用是什么。
~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~
SAW因为存在功率容量,所以通常家在Tranceiver,无论是WCDMA还是TD,Tx加SAW有着如下好处。
a.抑制发射杂散。
b.改善Tranceiver与PA直接的隔离或者匹配
c.对于WCDMA,还可以降低Tx到RxBand noise,有助于改善灵敏度。
d.介质貌似比较大,而且温度特性不好
4.如果W的ACLR 指标不好,那么该怎么调。
~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~
首先需要确认ALCR的来源,是PA还是Tranceiver,需要做如下工作:
保证PA在高增益的情况下,降低tranceiver的发射功率,例如把天线口的输出功率降低为10dBm/18/21/22/23/24,分别记录ACLR1/2/3/4/5/6,因为ACLR差可能是包含了Tranceiver与PA的共同作用的结果,所以需要仔
细分析以上记录指,多参考下datasheet或者评估测试结果可以辅助分析。不过可以确定的是,如果ACLR@10dBm都不好,那么Tranceiver肯定有问题,确认LO相位噪声不太差的情况下,估计是就匹配的工作了。

5.W的双工器的隔离度一般是多少
~~~~~~~~~~~~~~~
40dB? 经验值,提这个问题不如提W的双工器的隔离度理论值需要是多少!
6.如果某频段的接收灵敏度不平,如高信道好,低信道差,该调哪里。
~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~
这个问题似乎的挺玄,如果你有Switch+SAW+PCB的版图,你可以在ADS里面做个仿真,对于你解释灵敏度不平很有帮助,这个问题就是匹配优化问题。
7.校准的原理,包含APC,AGC,AFC校准。
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原理没啥好说的,这三个校准里面,难度最高最费力的应该是APC,以前APC用analog Voltage的时候,还存在曲线拟合的问题,现在应该不需要这么复杂了。
APC校准,就是搜索一个合适的APC DAC值使得功率为目标功率
AGC,主要是校准couple loss
AFC,主要取两点,得到AFC DAC值与频率之间的直线关系
校准的目的就是通过软件补偿的方式抵消器件性能分布的累加。
而且RD的校准和生产校准差别很大,甚至可以用完全不同的方法实现, 生产校准往往需要在时间和精度上做tradeoff。
APC的难点就是拟合功率控制曲线,根据不同PA决定是否校准CH。
AGC 基本都是两步,第一步用Mid CH来确定Gain的设置, 第二部校准CH平坦度,这里的难点是要选对合适的ch,争取选到波峰波谷的位置来拟合整个带内的相应。
AFC 大多平台就是通过粗调来 补偿误差(包括Xtal,芯片和寄生电容),然后把精调设置到中心点,保证足够的pulling range。

8.W或TD手机呼叫的流程。
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9.W的手机调哪里才能让发射收敛。
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匹配电路的Q值问题,调匹配网络的时候,不要Q值太高。
10.TX noise的问题一般如何解决。
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要解决一个问题,你的首先要明确问题,哪里的Tx noise?具体值?CW noise? modulated noise?  Offset Carrier多少频率?WCDMA/TD?发射杂散过不了还是影响了Rx 没有明确问题,实在无法“一般”解决。
tx noise 是tx noise in rx band
11.desence 的问题的解决思路一般是什么。
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a.明确被desence的信道,是单信道还是多信道,被desence的信道是否存在这逻辑关系?恶化程度存在什么规律?
b.根据测试结果分析干扰源,是单音还是调制?是时断时续还是常态被干扰?
c.定位干扰源,分析…………

12.手机功率耦合器的作用是什么,有的是每个PA都有耦合器,有的是在输出端一个耦合器,区别是什么。
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功率控制。差别在于
a.插损不一样。插损意味着功耗、线性度、散热……
b.成本不一样,面积不一样……
13.手机射频系统架构。
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1:超外差
2:零中频
2:偏移锁相环
14.各通信制式的灵敏度如何确定的。
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灵敏度=-174+ 10lgBW + NF + SNR(可以解调的最低门限)

15.如何让GSM 手机在4个频段上自动切换,顺序是什么。
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900-1800-1900-850
16.VCTCXO和crystal的区别是什么,校准的方式分别是什么
压控温补晶振和晶体,一个是振荡器,一个是振荡器的组成部分。
VCTCXO一般都是通过AFC的电压来调节pulling的范围,最后校准得到一个中间的电压对应的DAC值。
XTAL一般是通过芯片里的电容阵列的控制调节pulling的范围,最后得到电容配置的一个DAC值。
当然早起的时候也有过用Xtal加可变电容器直接调AFC的方案

感觉很神奇

牛贴!

很难吗?为什么我一个基带工程师都能答几道呢?

学习了

啥都不会

niu  不不不不不不

分析很详细!点赞!

haohao学习

学了不少,感谢各位高手!

15题,我觉得他是问你1800 和1900 不能互切,有切到900和850上进行转换吧,一定要有顺序吗?为什么呢?

尝试答一下,求LZ贴标准答案
1.射频线一般走多宽,微带线一般如何处理。差分线怎么走,线间距一般是多少。
参考层2,0.1mm,参考层3,0.2mm;差分线要等长,等距,紧耦合,走线规则正常线距,长度和距离矛盾时,优先保证等长,至于蛇形线在源端还是负载段绕,好像没有定论,个人认为源端会好一些,不过芯片下方地方紧张
2.PA供电一般走多宽,W和GSM分别都是什么范围。
G--2mm/W---0.8mm,主要考虑最大工作电流以及压降等因素
3.WCDMA及TD的输出端加的SAW的作用主要作用是什么。
TD输出端加SAW,是为了抑制带外杂散,WCDMA一般有可能在PA输入加SAW,同样为了抑制带外以及TX-noise
4.如果W的ACLR 指标不好,那么该怎么调。
PA,输入,输出匹配,load pull拉到ACLR最好的点
5.W的双工器的隔离度一般是多少
一般SAW工艺的50多,FBAR工艺的60多
6.如果某频段的接收灵敏度不平,如高信道好,低信道差,该调哪里。
首先,在保证DUP TRX收敛的前提下,调节LAN 输入匹配,如果LNA有输出SAW,有时候还需要调节下LNA的输出匹配(某些高通老平台)
7.校准的原理,包含APC,AGC,AFC校准。
校准原理:为了补偿,甄别器件的离散性,保证在一定的PDM值,对应发出确定功率,保证在一定的接收功率下,手机又合理的DVGA及LNA OFFSET值
APC,AGC,AFC,不太清楚,没研究过
8.W或TD手机呼叫的流程。
TD不清楚,W需要查看《WCDMA原理》书
一般信令流程应该是:手机侦测导频/广播信道,得到小区信息,然后手机上报接收功率,然后BS下发TPC命令,要求手机以一定的功率值发射,再细节,如信道分配,鉴权等就不清楚了
9.W的手机调哪里才能让发射收敛。
DUP公共端
10.TX noise的问题一般如何解决。
TC前加SAW或自己搭低通,改变PA的匹配形式也会有改善
11.desence 的问题的解决思路一般是什么。
1,拆,拆出最小系统,定位干扰源
2,包,将怀疑电路用铜箔,导电布包,判断干扰源
3,接地,改变干扰的辐射路径,让干扰信号有最短的地回路
12.手机功率耦合器的作用是什么,有的是每个PA都有耦合器,有的是在输出端一个耦合器,区别是什么。
功率检测用,PA后级耦合和输出端耦合,我认为最大的区别就是耦合器通带内耦合度差异,相对而言,PA后级耦合度只需要保证某一频段内耦合度OK就行了,单输出端的耦合器耦合度,需要保证在全频段耦合度都要OK;
13.手机射频系统架构。
TC 设计指引都有
14.各通信制式的灵敏度如何确定的。
噪声公式,因各个指示要求的EB/N0不同,其灵敏度有差异,详细需要查资料
15.如何让GSM 手机在4个频段上自动切换,顺序是什么。
以前用agilent8960做信令测试时,碰到过,主要是切DCS/PCS时,需要设置仪表一个叫“band indicator”的东西,印象中,应该是:900----1800---900---1900--850,中途需要拿900中转一下,在切900时,同步设置频段指示这个菜单分别为DCS或PCS
16.VCTCXO和crystal的区别是什么,校准的方式分别是什么。
一个是温补压控振荡器,一个是晶体,区别在于:
1,频率稳定度不同,前者0.5PPM,后者大很多
2,外围电路不同
校准方式,不了解

前辈好多都是大牛。

谢谢分享

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