功放设计中栅极偏压怎么选出来的？

看了几篇ADS做功放设计的文章，都是先对LDMOS管做直流扫描，然后标一个点，说由于是AB类功放，Vgs=xxV，看的我一头雾水，
1、A类、B类、AB类到底是通过什么关系来选这个栅极偏压的?
2、这个点的选择是基于最多设计功率来选的?
3、对于A类功放，当输出功率远小于设计最大功率或这说输入功率很小时，功放的效率应该很低，那么这时候适当降低栅极偏压，会不会提高效率?
   对功放其它指标会有影响吗?
刚接触功放，请各位前辈指教。

没人回答啊