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doherty功放烧管子问题请教

时间:10-02 整理:3721RD 点击:
功放模块单独测试时无烧管现象(末级采用doherty功放),但在整机中与DPD联调时会出现烧管现象,而且烧PEAK管的情况更多。请教各位高手:为什么会烧管,而且一般烧的都是PEAK管?

我的临时解决办法是,先开DPD等稳定后在开功放,关电的时候千万不要先关DPD,非常容易烧,我就搞错一次,就烧了。 建议把功放里加个声表,那些杂散可以少点,必要把DPD的上电顺序搞搞

我在先关DPD电源时候,PEAK管就一声爆,打开一看就揭盖了,我看小编可能也是一样吧

我在先DPD电源时候,PEAK管就挂了

DPP芯片在开关电有很大的杂散,把功放烧了,我遇见过。

DPD连调时如果没配合好是会烧管子。这个可能要功放工程师跟DPD工程师一起研究下。不一定单纯是功放的问题。
例如突然出个PAR很大的信号,远超过doherty的peakpower,烧管也就正常了。
有烧管经验的出来讲解下,还没碰到烧管的,经验值不够。

还请高手予以解答啊。

avr-arale  
怎么称呼?天天打螺钉,生产.

老兄,最近混得怎么样了

请问下是哪家的管子?有些管子的输入导通电平只有-0.5V,用作peak风险大些。

坐等高手,望不吝赐教!

请高手有空时解释下LDMOS的失效机理,或者是否可提供相关资料供好好学习一下。

请高手解析一下LDMOS的失效机理,或者提供相关的资料供好好学习一下。

人家说的-0.5V是说peaking导通电压,有没说击穿电压。-2V当然不会坏了,加-10V和+10V,你看那种情况容易坏?
搬个凳子坐等高手解释为什么烧peaking的原因。

顶一下学习啦

请高手解析一下

纯粹胡说八道,跟这个-0.5V一点关系都没有。-0.5V的管子被用作peak已经上千万片的量都不止了。就算你加上一个直流的Vgs=-2V,管子就坏了吗,你去试试吧,不会坏的。唉,懒得解释。 至于为什么peak更容易坏,改天有时间再说了。要搞清楚LDMOS失效机理。多想想,多学习,从ldmos内部结构找原因!

我遇到也一般是大多烧peaking
为什么老烧peak,一直是大家争论的焦点的了,我也没完全把握,一下我我个人一些看法吧:
1.关于包络信号进入doherty,功率分配的问题。我说不清楚是怎么分配的,但是peaking管是有选择性的,peak对低功率基本不开启,功率越大开启越开放。简单来说,peaking管不见得有主管饥渴,但是关键是peaking只玩大功率。
2.Peaking管一般偏置在class B一下,非线性很强烈,其电压摆幅理论上可以大于2倍VDD(例如ClassF,最大功率可以到3.2倍VDD)。我觉得在某些情况下class C到达2倍VDD电压摆幅的几率要远大于classAB(主功放)。这也可以解释为什么高漏极电压(比如32V)供电更容易挂管子。对于现在常用的通信用LDMOS管,主流的几家FSL,NXP,英飞凌。仔细看下起击穿电压,漏极一般在65-75V之间,对大电压摆幅还是有点虚的。
3.也是器件原因吧,现在LDMOS的gate抗负压击穿能力比抗正压击穿能力要差很多,从datasheet都可以看出来。peaking管偏置较低,如果有较大驻波叠加较大幅度的拉升gate电压峰峰值的话,偏置越深自然越容易挂了。
个人理解,仅供参考。

请问楼上你遇到的这种情况也是主要烧功放的peak路吗?能不能从原理上解释一下为什么peak更容易烧?

我遇到的这种情况百分之七十是DPD导致的
DPD原因:
你可以把DPD输出信号接到频谱仪上,频谱仪扫描时间设置尽量短,然后MAXhold,然后做DPD启动,复位,自校准,频率切换,功率大跨度切换等动作。如果频谱上出现大功率宽频谱信号,(大功率指能把你PA直接推直压缩的信号幅度)。相比之下,宽带信号更恐怖,因为宽带信号峰均比巨高,而且目前的管子视频带宽一般上不了100MHz以上,如果有宽带信号150MHz-200+Mhz以上信号,中等功率水平就足以挂掉你peaking管。
假如是这个原因的话,就必须搞DPD了,PA做过功率保护,过压过流保护什么的都是浮云。
PA原因:
检查下你的反馈链路的信号有没有杂散干扰;
看下PA的温度稳定性如何,要是增益温漂高低温有正负4dB以上的话,建议做点温度补偿,或者等系统热稳定以后再跑DPD。因为现在DPD很多会自动做功率校准,功率飘得太多有些DPD会跑飞了,也会烧管子。
还有你保证你单板测试的情况和DPD测试的测试环境是一样的吗?比如加不加盖,推动级连接方式,电源处理方式。要是不一样的话,就当我白说吧

居然说到了LDMOS的失效机理上来了~~~,低LEVEL的我看不懂了。

怎么大家都在做DPD?

也出现了这种DPD烧管现象,来学习

学习了啊》

先说只加VGS -2V,看你怎么加了,你的栅极ESD就是个阳极接地的二极管,直接加上去,不坏才怪呢,除非你栅上串一个电阻;
再说加射频信号,你把管子推到饱和,再把VGS降到-2V, 你敢说你的管子不坏?-6V的管子我测过,确实不坏。
peak工作在C类饱和,更宽的VGS范围,更安全。
还得有空请教LDMOS得失效机理呢

11楼说的对,显然是DPD问题,主要是信号带宽太大,存在一定的杂散。通常就烧PEAK。

各位,信号带宽大为什么容易烧管子,这个问题有没人讨论下?

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