微波EDA网,见证研发工程师的成长!
首页 > 研发问答 > 手机设计讨论 > 手机射频设计讨论 > 砷化镓功率管使用中的问题

砷化镓功率管使用中的问题

时间:10-02 整理:3721RD 点击:
最近在用一个富士通的砷化镓功率管,给栅极加上-1V的电压后再给漏极加上10V的电压,在不加功率时,测量栅极和漏极电压都是对的,逐渐增加输入信号的功率,发现加到一定程度后,功率管的栅极电压变了,变成-2V了,而且功率管的线性也开始发生畸变,整个信号的躁底变成高了
栅极和漏极电压都是通过电感加在功率管的输入输出信号通路上的,电源也有退藕电容,而且改变退藕电容的容值,影响不大。
请教各位高人,这是怎么回事?是不是用法有问题?

还有栅极馈电和微带线交接处串电阻了没有,如果没有,加上,具体值看厂家资料,估计有改善

根据你所说的现象,像是管子饱合了,还有,加微波信号测栅极电压是不对的,功率加大后所有的管子电压都会变的

发个图上来看看

是不是gate 偏置有leak电流 发生啊

好像不是饱和失真,因为增加输入信号,可以增加输出功率
电源的电感值我也换过,没有太大作用

感觉还是电源的问题,电感值是不是太小(同时也要考虑自谐振频率),wL要大于500欧.

会不会是饱和失真呀

会不会是饱和失真呀

HAO, XUEXIZHONG

Copyright © 2017-2020 微波EDA网 版权所有

网站地图

Top