关于功放低温增益变大的问题

应该是和管子的B参数相关的，B就是负温度系数参数

不错,这两个是相反,看谁变化大.
有些器件这两个一致,所以增益变化更大.

选用一些负温度系数的器件，在高低温进行补偿

温控衰减器

放大器有小功率的和大功率的LDMOS管子设计，管子的材料基本都是硅半导体，而硅半导体在静态工作点，偏置电压或（栅极和漏极）条件下，温度变化都会产生温漂现象，实质是空穴随温度的变化而变化，温度越高空穴的温漂速度越快，就等效于管子的静态电流在随温度的变化，而表现出来的就是线性和gain会随温度的变化而变化；为了解决该问题，可以考虑使用温度补偿电阻来补偿增益或用模拟或用数字的压控衰减器来实现gain补偿，可以靠二极管或三极管的温度变化特性来对管子的栅极实现温度补偿，高温降低栅极电压的办法来补偿空穴温度漂移而引起的静态电流变化，通过补偿来尽量保持和常温静态一致，当然也可以通过单片机芯片控制来补偿。
可以解决温度变化问题。

学习学习

一个小信号二极管可以较好的补偿LDMOS管温度变化带来的静态工作点飘逸

温度高  空穴速度快  不就是电流变大  那增益不是变高吗

个人建议：可以实测下高低温GAIN的变化曲线，然后根据曲线做温补电路，温补电路可以用单片机做，也可以用温补二极管做，几个分压电阻+一个二极管差不多就可以补偿到位

学习了！

还是没明白为什么放大器低温增益变大?

我们使用二极管进行补偿静态电流，根据我们的测试，能达到基本不变化的程度。
可是满功率下，功率输出还是会下降0.3-0.6dB，这个尚未找到补偿方法

请问是在漏极用二极管控制压降?还是在栅极用二极管?谢谢

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学习，不错！

正要做高低温呢！学习下~呵呵

栅极 温补

当偏置电流一定时，电子迁移率u和电子饱和迁移率usat决定着LDMOS的增益Gain、饱和功率Psat。u和usat都是随温度上升而降低的，因此低温下LDMOS所有的指标都会更好些。

主要是温度变化使得静态工作点飘移，所以补偿一定要补栅极啦。

温度系数不是BJT为正，FET为负吗?
PS：为什么每次搜索出来的结果都在射频微波研发讨论区的呢
不愧为第一板块

看来事情又到了半导体理论那去了哦。

我们在用LDMOS管做放大电路时，低温增益下降，高温增益上升。我们用温补电路补偿栅极电压，低温时电压升高，高温时降低。

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