用BLF574做个200-300M的500W电路 能实现不？大概尺寸能多大？

CLASS J 和continue F类的开关功放设计，并非能够突破宽带匹配理论。
因此他实际上对宽带设计要求非常高，LDMOS器件宽带特性并不能够受益于此。

实验室经费有限  所以只能用已有的BLF574管  指标是可以跟据我调试结果而变
动的   但是频段我得先确定了  不然匹配没法做   然后我调不出500W 我就调
400W  温度高 我就给个调制输入  不用连续波  这样总能实现了吧  
我先做板子  调试有问题 希望高手哥哥能继续指教  3Q

LDMOS的带宽做不到很宽的，对大功率来说，15%差不多是上限了，如果是氮化镓的话，带宽可以宽一些，不过现在有种CLASS J和continue F类的开关功放设计，可以做到宽的带宽和高效率并存，主要看你的指标了。

260-300M的带宽，相对带宽是14.3%，还是比较宽了，如果你指的是饱和功率的话，500W是勉强的，要有很强的电风扇吹，而且要有很大的铜基散热片，把功放管直接焊接在铜基上，不要用螺钉来固定。
建议多看看DATASHEET，还有就是看下张玉兴翻译的功放设计那本书，里面的原则写的还是不错的。

小弟实验室只有BLF574 几个
我只要做个结果出来 就能毕业了
所以500W不行 我就400W  100M带宽不行 我就50M  
但是我还是想尽量做个好的结果出来 这样也没白读一回书 不然这二年真是白上
了
所以希望专家高手能给予支持和帮助  感谢

小弟受教了，分析太好了, 还有一些问题请教下啊，假设260-300M的带宽  

用BLF574  调试时候 是不是调静态  使静态电流到1A  这时候输入驻波比
增益大小   输出驻波比  都要达到要求  如不满足要求  需要继续更换电容调试
知道满足要求  然后在给输入信号

小弟受教了，分析太好了

分析的挺好啊

如果你还有线性度的要求，比如ACPR必须小于-40dBc,那么，你这个管子是无法实现的，功率太小了！
如果是连续波的话，个人觉得要选一个功率更大的管子，比如BLF578，然后降低漏压，采用CLASS J或者continue F类的宽带开关功放来实现高效率宽带宽，将漏压降低到30-40V，可在全频带内实现65%以上的饱和效率，这样500W输出功率，发热不过250W，加上其0.13-0.15的热阻，其温升不过40°，加上环境温度，不会超过150°，从而达到了普军标的70%降额要求了。

所以，你要么要很高的成本，比如用液冷来降温，以提高效率和输出功率，要么就换管子，比如换成更大型号的管子或者多管合成，以降低热阻，提高输出功率和效率，多管合成可用传输线巴伦来降低输入输出阻抗，实现宽带。

从经济的角度来说不可能实现！
看你做的好像是电视发射机，200-300M这么宽的带宽，其效率必然打折扣，这个芯片在窄带的效率大概是66%，你这么宽，相当于41%的带宽，其效率将不会高于60%，其峰值功率相对于窄带至少降低0.4-0.8dB,也就是说，在宽带情况下，你这个管子的极限峰值功率会下降10-20%，理论上，你还是能做到500W左右，但是这个仅仅是理论，不考虑散热等导致的温升，实际上，对于连续波来说，你单管500W的功率，其效率假设是60%（实际上随着温度的升高，漏极电流增加，输出功率下降，不可能达到60%，一般会下降4个百分点左右）发热会达到300W，热阻是0.023，则温升达到69度，考虑到一般风冷功放板环境温度为75°，这样管子温度一般比PCB要高30度，加上管子核心温升69°，基本上你的核心温度高达174°，而结温是225°，根据民品国标降额80%的要求是不能超过180°，你管芯的温度已经无限接近降额的上限了，极易烧毁，而且宽带的效率比较杂散，不可能按上面所说的平均效率，实际上考虑到温升等因素，在这么宽的带宽上，你的最低峰值效率极有可能只有55%，这样管芯温升就高达94°，这样管芯实际温度是199°，已经无限接近225°的结温了，估计只有烧毁的份了，即使不马上烧毁，寿命也是很成问题，估计也就几个月的寿命，哈哈！