射频开关隔离度测试问题

一个宽带2选一输出的射频开关，频率到4G，隔离度在30dB左右。一个10耦合器的耦合端接开关，直通端接一个盲插头+cable，20dBm，2G的信号从耦合器输入端输入。
当开关一路接地，另一路测试隔离度的时候，发现耦合器直通端盲插头上下左右硬力移动后（模拟盲插没插好，靠向某一个方向），开关测出来的功率level差异很大。
例如正常情况下，不考虑线损，开关端口测出来的功率在20dBm-10dB-30dB=-20dBm左右。
但硬力移动后测出来的数据有时能到-8dBm。
个人观点：是否盲插头有点弯曲，导致产生高次模，反射回来再经过耦合器进入开关。因为新产生的信号频率可能大于4G，所以开关的隔离有些失效。所以导致测出的功率level上升。
不知各位高手有何见解，不吝赐教！

小编在模拟接头没接好测试功率时的失效模式啊

接地是指开关接了电容后到地，因为我只需要一路。仿真和理论分析都说明耦合器那没问题，所以我没有详述细节。

你10dB耦合器的隔离端匹配好没有?开关的一个输出为什么接地?为什么不端接50 ohm?

测试时候碰到的，发现接头往一些方向偏移后开关的隔离度差别很大

开关的一个输出不能接地，

开关本身的连接肯定没问题，所以开关电路部分我没有详细描述。

开关的另一路先串一个电容隔直，再接一个50欧姆电阻到地，这样就匹配了。