关于如何提高输出功率的最佳负载阻抗的确定

对于很多功率MOS管，
1）若有非线性模型的话最好，通过loadpull仿真，可得到获得最大输出功率时的最佳负载阻抗。但是没有的话，就只能看datasheet上给出的信息；
2）若datasheet上都给出了静态特性曲线或者给出输入和输出阻抗值（基本上就在这个值范围内吧），若是静态特性曲线，从图上能确定最佳负载电阻，其最佳负载阻抗的虚部由提取管子的寄生得到，如何从小信号S参数提取寄生参数呢?也有介绍怎么提取的，这里我还没有具体操作。
3）如果有的管子（有些晶体三极管）既没有给出静态特性曲线，也没有输入和输出阻抗值，只有在某个静态工作点S参数，我想请教，看到的某个静态工作点下的S22的虚部是不是最佳负载阻抗的虚部?（是不是datasheet上给出的S22是把寄生考虑进去的）
请达人出来讨论解答，在此谢过

我也想知道，请高人指点

先站一下,想学一下哦

S22的虚部不是最佳负载阻抗的虚部,参考《微波电子线路》