当前各类LNA的器件有没有一定的应用范围？

我的题目说的不是很明确，还请大家原谅！因为找不到合适的表达。我现在把我的问题具体一下。
我总结LNA目前分为独立器件（BJT，FET，HBT，HEMT），还有MMIC（大多数内部集成的是pHEMT，E-pHEMT，已经做好偏置和匹配）。对于无线通信来说（不包括雷达等），这两大类LNA在用途上和应用场合上有没有区别?
比如独立器件的是不是在基站，直放站这类。而MMIC被用在终端上多一些?
问题可以归结为，1，到底有没有这样应用场合的规律。2，如果有这个规律，规律是什么?
另外以上列举的各种器件BJT，FET，HBT，HEMT，pHEMT，E-pHEMT，在应用频率，噪声系数，线性度等方面有什么不同?
我的问题比较繁杂，谢谢大家啦！
我也在自己找答案，如果能找到好的文章，也会在这里和大家交流的！

目前我自己查到的一些结果，不知是不是正确?
1，HBT是异质结晶体管，意思是不单纯在一种介质上制作。比如在Si和Ge的介质上制作。其频率特性和线性度好于传统的Si介质的BJT（双极晶体管）。
2，HEMT是高电子迁移率晶体管，是FET的升级版。工作频率很高，线性度也比FET好。目前很多MMIC是集成的HEMT。
请大家指正，欢迎补充！

这个问题真的比较复杂，基本上把各个应用的频段都包含了
我觉得应该根据所使用的频段来区分比较好
还有就是个人觉得BJT快要被LDMOS取代了一样~~

谢谢kyang74，我也知道我的问题问的太宽泛了！
希望大家在这里讨论一下吧！

看功率 看频率 看带宽 你还是把问题细分一下才方便讨论

单独的LNA看应用场合了，PHEMT噪声性能好，一般用在超低噪声、高线性度的地方，比如基站直放站里。普通终端因为
成本的考虑，很少单独使用LNA，一般是集成在Transceiver，在这方面cmos工艺占了上风，因为成本低，容易集成，现在的noise也做得相当不错了。

学习了啊  

现在还有用你所说的独立器件的吗?