本征功率电平对混频器的影响

顶下哦，没有人帮忙啊?

功率太小太大
轉換損失自然大
和無用的訊號較大

本征功率太高，容易让mixer过饱和；太低则工作点太低（或者PN太宽），mixer工作不好。
这两种情况都会影响mixer的非线性特性。

是不是本征功率太小，整机噪声系数就越大?本征越强，噪声系数也越大?本征太大，应该是导致混频非线性失真吧，甚至自激

小编随便找本混频器的资料看看，就知道了。
混频器主要有两种，Ring Diode或者FET结构。
Ring Diode结构，LO 和RF直接作用在Diode两端，而FET，LO则加在栅极。
也就是说，如果LO level不够高，Diode或者FET无法正常工作，无法正常混频，也就导致转化损耗很大。当然当LO太高，Diode和FET都会饱和，导致压缩。
一般混频器都会有标是什么Level的。在标定level的正负3dBm范围内使用比较合适。

谢谢各位的分析，我现在在调试时，是有源LNA和MIXer集成的片子，我发现当本征比典型值大10db时，会导致接收有自激，这是不是可以这样归纳：本征太强，导致了器件压缩，从而引入更多的非线性失真，而导致了自激?如果本征太小，则本征相噪就差，这样变频出来的信噪比差，噪声系数差?

本振功率是有要求的，一般0dBm-7dBm
对系统性能的影响：
1：当在正常范围内，系统正常。
2：如果慢慢减小，系统的gain会慢慢小，但这个范围很低的，比如说-4dBm to 0dBm范围内系统gain会减小，小于-4dBm mixer就不工作了，没有混频产物输出了。
3：当太大，以前我曾经加到30dBm，产生的结果可能如下：
a. 电路管子打坏掉，我功率没敢再加了。
b. PLL freq to mixer中间一般会有个buffer, 这个limit buffer是用来隔离作用的。输入变大会产生两种路径的干扰。buffer的非线性，产生各种谐波，然后从mixer混合，产生干扰。或者从lna混入，这个时候产生干扰。
打个比方： PLLfreq-RFfreq=IF;
刚好频率组合如下：15*PLLfreq-17RFfreq=IF;
这个我以前就遇到过。芯片内部PLL 隔离不够还有buffer的线性太差。

谢谢楼上的，我现在经常遇到mLO-nRF=IF，目前调试都是从减少本征功率着手，有一次我本征功率比MIX典型值大10db，但BUFFER是没有饱和的，最终的结果是导致接收自激，我当时是觉得本征过强，造成内部振荡，特别是低温，我调试时发现，确实当本征低于某一值时，增益会掉下去，本征再小时，就没中频了。

我们在维修的时侯，发现混频出来的频谱的毛刺会随着本振电平的大小而漂移，哪位高手能解释一下这个问题呢?

问8楼
“
打个比方： PLLfreq-RFfreq=IF;
刚好频率组合如下：15*PLLfreq-17RFfreq=IF;
”
这个方程组有解吗