微波EDA网,见证研发工程师的成长!
首页 > 研发问答 > 手机设计讨论 > 手机射频设计讨论 > 关于发射功率信噪比的问题

关于发射功率信噪比的问题

时间:10-02 整理:3721RD 点击:
今天遇到一块单板,取下屏蔽框,发射信噪比很好!加上后变差!屏蔽框的焊接点均对地。哪位高手能解释一下?

有可能是杂波谐振造成,可在频谱仪上看,加屏蔽后频谱杂波是否增加。

所谓信噪比便差是噪声变高还是有杂散干扰在信号附近?

小编还是具体说下吧 是功率降低了 还是低噪高了 还是出现了大的杂散信号

补充一下几点:
  发射频率400M
  PCB板材有腐蚀痕迹
你们说的噪声主要是指那些方面?三阶?载波?
用频谱仪观察了一下,三阶还行,载波抑制不理想!更换功放不能解决问题!
问一下:再设计时对IQ信号的处理有什么特别需要关注的地方吗?

不是我们说的噪声指什么,是想知道你说的信噪比中的噪声指哪部分。
一般来讲测试SNR的时候不会按某处的杂散或者谐波来计算,都是按离载波某处噪底。这个一般都是因为系统NF,各级滤波及匹配导致(也许有其他问题俺没遇到过)。其他的不知道怎么说,大家继续。

Copyright © 2017-2020 微波EDA网 版权所有

网站地图

Top