我的仿真和芯片资料差很多

我用ADS仿真LNA，发现自己的仿真结果和芯片datasheet里的结果差很多。
我选的芯片是NEC的2SC5010，分别仿真了它的NFmin，还有S参数（这个两个指标在芯片的datasheet中有）
我仿真得到的NFmin当偏置电流（Ic）在5mA以上是，显著增大，而datasheet中此时的NFmin仍然很低。
S参数仿真和芯片datasheet给出的S参数有些出入，但出入不大，有些是幅度上的，有些是角度上有差别。
我目前只会用ADS，想请论文里的朋友帮忙用其他软件试一下，比如designer等。

把datasheet里的图和仿真的图都贴出来
这个是datasheet中的图，NFmin的最小值取在3或4mA的位置

下面是我仿真的图，横坐标为基极电流，整个横轴的范围对应的Ic为0.6mA到13mA，NF最低的地方对应的为1mA左右。并且NF在13mA时，已经达到3dB，远远高于datasheet中的值

我怎么觉得你的整个横轴对应的范围为4mA到100mA啊?

下面是我的仿真电路图

电路中，因为集电极用直流电压供电，VCE为3V，所以集电极电流Ic是由基极电流IBB控制。我扫描的范围是1uA到100uA，用直流仿真得到Ic的变化范围为0.6mA~13mA。
又因为我ADS用的不太熟，不知怎么能直接画出NFmin vs Ic的图，目前只会画 NFmin vs IBB的图。
芯片资料的图中，横坐标本身就是Ic。
不知我解释的是不是清楚?希望大家帮个忙！