低噪放稳定电路的问题：

我在文献看到以下的话：

稳定性的判断可以通过K-Δ 公式或源端和负载端稳定系数圆来判断，前者通常用来判断放大器是否处于绝对稳定的情况。对于低噪声放大器的第一级，主要性能是以降低噪声系数为目标的，故常处于条件稳定的情形，而设计最大增益放大器时采用双端共轭匹配，这时候射频电路必须处于绝对稳定才能保证复数共轭同时成立。

我现在做第一级低噪放，为保证不降低增益，增大噪声，以是处于条件稳定，就是说可以不用做稳定。但是在做输出匹配电路，要满足最大增益，又得处于绝对稳定的条件。
但是由于以上问题，到底要不要加稳定电路啊。

在E极加个小值的电感试试

我加了一个1 nh的电感确实能提高k值，方法不错啊。

稳定电路是肯定要做的吧，不然的话电路可能发生振荡。一般在发射极接一个小电阻或者电感都可以使不稳定电路变为稳定电路了。

谢谢楼上两位的回答，我做的是FET的管子。经过我的多次尝试，在S源级加了一个1-2 nH的小电感，可以使稳定系数K在0.9以上，比较接近1。其它方法，如果在漏极接个小电阻，都会影响到增益的。
我觉的在源级只接个小电感的方法比较好。不太影响增益。只是k值是0.9到1之间的数，
不知道K<1是不是发生震荡的直接原因.
我是射频入门小生。还希望前辈们多多帮助。

工程上一般大于0.8就可以了，这个不用去过于追求。如果你的频率是G以上的话，一个过地孔的电感量就有1nH左右，所以实际电路你可以在源级加一个过地孔代替这个电感。这个用仿真可以计算！

楼上的是高人。我以前设计都没考虑过电路板的过孔的电感