微波EDA网,见证研发工程师的成长!
首页 > 研发问答 > 手机设计讨论 > 手机射频设计讨论 > atf 54143 是基于GaAS工艺的phemt?

atf 54143 是基于GaAS工艺的phemt?

时间:10-02 整理:3721RD 点击:
我看文献Extremely low-noise amplification with cryogenic FETs and HFETs1970-2004时,
文献说phemt发展大概有三个阶段:
In the 1980s and 1990s, FET amplifiers were gradually replaced by HFET amplifiers of different generations.
The first generation used AlGaAs/GaAs HFETs,
the second generation used AlGaAs/InGaAs/GaAs HFETs,
and the third generation used AlInAs/InGaAs/InP HEFTs
然后我看avago官网介绍说
安华高科技 (Avago Technologies) 的 GaAs 晶体管是采用 PHEMT 工艺且具有反向偏压肖特基屏障门极的场效应晶体管,比如atf 54143。
这些器件结合了高线性和高功率附加效率 (PAE)、高增益和低噪声等特点。
那么现在很多人比如我 还是用第一阶段的phemt就足够应付平常的设计任务了?是我理解错了吗?
有没有人使用其他类型的phemt的经验呢?不妨说说看?
或者

一句话   这管子不错   频带宽  噪声低  单电源供电   价格便宜   很好  我一直用它  ^^

我也觉得是,10元/个。
就是不知道有没有人用其他类型的管子的经验可以分享一下?
顺带问一下:有没有人用过那个atf34143,栅源必须负电压供电的,感觉怎么样?

我用的34143,感觉这两个差不多的,性能都不错,很好!

34143和54143在较低频段噪声都比较小,但如果到了c波段以上,比如5G以上,噪声比较大了,这时候大家一般是用什么管子来设计的?能不能推荐一下

54143是目前民用基站的标配LNA

这么牛掰?

受教了

不一定。华为的基站用的就不是这款LNA

大家言过其实了,若大量生产还可考虑IC,没匹配,便于量产啊!如HMC618就不错!

Copyright © 2017-2020 微波EDA网 版权所有

网站地图

Top