一个射频线性化器的问题

在用FET做射频预失真器的时候，准备把FET不匹配直接用微带线连接在电路里面使用，在ADS仿真中可以得到预期的效果，因为主要是利用FET的漏源电阻非线性，FET栅极电压工作在截断区。这种不匹配的方法，对FET有什么不好的影响吗?前端电路可以用隔离器来进行隔离。请大家谈谈看法！

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