如何防止可控硅的误导通和击穿

　如何防止可控硅的误导通和击穿
　　晶闸管(可控硅)两端为什么并联电阻和电容在实际晶闸管(可控硅)电路中，常在其两端
　　并联RC 串联网络，该网络常称为RC 阻容吸收电路。晶闸管(可控硅)有一个重要特性参数-断态电压临界上升率dlv/dlt。它表
　　明晶闸管(可控硅)在额定结温和门极断路条件下，使晶闸管(可控硅)从断态转入通态的最低
　　电压上升率。若电压上升率过大，超过了晶闸管(可控硅)的电压上升率的值，则会在无门
　　极信号的情况下开通。即使此时加于晶闸管(可控硅)的正向电压低于其阳极峰值电压，也可
　　能发生这种情况。因为晶闸管(可控硅)可以看作是由三个PN 结组成。
　　在晶闸管(可控硅)处于阻断状态下，因各层相距很近，其J2结结面相当于一个电容 C0。当晶闸管(可控硅)阳极电压变化时，便会有充电电流流过电容C0，并通过J3结，这
　　个电流起了门极触发电流作用。
　　如果晶闸管(可控硅)在关断时，阳极电压上升速度太快，
　　则C0的充电电流越大，就有可能造成门极在没有触发信号的情况下，晶闸管(可控硅)误导
　　通现象，即常说的硬开通，这是不允许的。因此，对加到晶闸管(可控硅)上的阳极电压上
　　升率应有一定的**。
　　为了**电路电压上升率过大，确保晶闸管(可控硅)安全运行，常在晶闸管(可控硅) 两端并联RC 阻容吸收网络，利用电容两端电压不能突变的特性来**电压上升率。
　　因为电
　　路总是存在电感的(变压器漏感或负载电感)，所以与电容C 串联电阻R 可起阻尼作用，它可以防止R、L、C 电路在过渡过程中，因振荡在电容器两端出现的过电压损坏晶闸管(可控
　　硅)。同时，
　　避免电容器通过晶闸管(可控硅)放电电流过大，造成过电流而损坏晶闸管(可控硅)。
　　由于晶闸管(可控硅)过流过压能力很差，如果不采取可靠的保护措施是不能正常工作
　　的。RC 阻容吸收网络就是常用的保护方法之一。
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