关于 异质结

异质结，其实並非新鲜事物，
矿石（及各种各样的仿矿石组合）检波器，世上第一只BJT，温差电偶（发电或电致冷冻），合金BJT（铟锗结），肖特基二极管，这些皆为 两种材料间的非欧姆接触，都有着PN结的特性。

[a

简化，有时也是一种进步，整个芯片只需一种材料（不同的是各处的掺杂成份与浓度）造成，这合符当时的科技水平之所能，
到了今天，同质器件的能耐不够用了，不同材料的契合工艺亦已日趋成熟，性能优越的异质结得以面世；讽刺的是，本来已届末路穷途的矽与锗，竟然联袂再创新高，但之前竟无人想到！

BJT原理的根本，是二极管正反向模式的契合，反向部份赋予 电压增益，BVceo，讯号传输单向化及恒流所需的选择性遮罩，正向部份成就了 跨导，
射极的喷注效率取决于 射基两区的浓度或带隙差距或掺杂浓度，同质管如果违反 射浓基淡 的规范，则射极的喷注作用不是效率低下，而是 根本无法运行！
带隙的差异可屏蔽浓度的影响，所以，有了 射宽基窄 的带隙差距，射极的喷注效率就不再受制于 射浓基淡 的格局，各种电参数的设计规划都 不需折中取捨了，而输入行程 则是取决于基区材料的，基区使用窄带隙材料，输入行程就小（这可是 BJT 的先天优势！）。

带隙愈宽或掺杂愈淡（当然，宽或淡得过份，PN结就形成不了），PN结的反向耐压愈高，
有源器件单体的功率与日俱增，大电流绝非好路子，提高耐压才是对头，硅结的耐压已到极限，想耐压更高，就只能用宽带隙材料了，
PN结材料的带隙如果是一宽一窄，门槛值刚才说过，是取决于窄带隙材料，而反向耐压却仍是由宽带隙材料决定（这耐压能力並不因跟窄带隙材料连接而削弱），那就意味着，超高耐压的集电结也可使用窄带隙基区！

反偏的PN结，掺杂愈淡，阻档层就愈易扩张，基区那么薄，扩张多一点就跟发射结…穿通了，所以，在同质管中，集电区的掺杂浓度只能跟基区相若甚至更淡，
宽带隙半导体虽然有高耐压，但阻档层对电压的反应规律是一致的，所以，集电区掺杂还是以淡为宜，由于集极用了宽带隙材料，窄带隙的基区掺杂可以较浓，集电区的掺杂就犯不着太淡，这样，管子的通态阻值就可大减，
宽带隙半导体的电子迁移率不一定高，可幸的是，用于三极管（不独是BJT）的那几种，都是高的，电子迁移率高，扩散及漂移都会迅速，两都快，器件的速度才可高。

载流子的复合，是PN结开通时的必然过程，复合在本区或对方领土皆可进行，
PN结不管咋用，表面复合 都是没建设性的，那些有幸当选的宽带隙材料的 表面复合都 比硅低得多，在BJT中，没有表面复合，Ib 就没有这些份额不菲的无用成份，
在异质结中，复合几乎只发生于窄带隙材料区，Ib 不用搭载 往射极的扩散电流，由于基极可更薄加上电子迁移率高，需要牺牲（往基极钻）的 Ie 就更少，无用成份去除了，有用成份的需求亦大减，β 岂有不高之理。