抗静电能力低的器件如何使用

　　对于器件的用户来讲，抗静电能力高的器件总比抗静电能力低的器件受欢迎。但随着超大规模集成电路的发展，采用了按比例缩小的设计，以实现体积小、重量轻、功耗小、集成度高，解决器件的高性能、高可靠、低投入、高产出、快周转等方面的优势。在制造工艺中普遍采用了浅结、薄氧化层等一系列的微细加工技术，器件的抗静电能力越来越差。

　　器件的抗静电能力又因器件的设计、制造工艺而有所不同。比如，CMOS，与PMOS、NMOS器件比较，虽然抗静电能力在同一数量级，但CMOS器件比PMOS、NMOS器件的抗静电能力略高几百伏。

　　用户提出抗静电能力高的器件要求，在某种程度上来说，不太现实。第一，抗静电能力高的器件在设计、制造工艺中比较复杂，成本较高。第二，抗静电能力高的器件价格昂贵，整机成本上升。

　　鉴于以上情况，建议设计整机时，在抗静电能力低的敏感器件中的输入/输出端加一个防雷击、防过压、防静电、抗干扰的一种瞬态电压抑制电路（TVS），可有效地提高整机的抗静电能力。瞬态电压抑制电路在通讯、计算机、I/O端口、信号的输入/输出保护等其它高科技领域已获得广泛的应用。

　　瞬态电压抑制电路（TVS）是一种高效能的保护器件。当瞬态电压保护二极管受到反向瞬态高能量冲击时，它以1×10－12s量级的速度，将其两极间的高阻抗变成低阻抗。吸收高达数千瓦的浪涌功率，使两极间的电压箝位于一个预定值，有效地保护了电子线路的敏感元件，免受各种浪涌脉冲的损伤。该器件具有响应时间快、瞬态功率大、漏电流低、箝位电压易控制、没有损伤极限、体积小等优点，在各个领域已得到广泛的应用。