中国半导体科学奠基人之一:王守武

     在我国知名的半导体专家中，王守武是很特别的，他不但是名门之后（他为明代宰相王鏊后裔），而且家人中成大家者特别多，比如他父亲王季同是数学家，兄弟姐妹中王守竞、王守觉、王淑贞、王明贞等皆为科技泰斗.

王守武是著名技术物理专家。男，1919年3月出生于江苏省苏州市。
1941年同济大学机电系毕业，以后任中央机器厂公务员，同济大学助教。1945年赴美留学。1946年在美国普渡大学获硕士学位，1949年获博士学位。1949年至1950年任美国普渡大学助理教授。1950年回国。1950年至1956年任中国科学院应用物理研究所（以后改称物理研究所）副研究员、研究员兼电学组组长。1956年至1960年任我国第一半导体研究室的室主任、研究员。1960年至1982年任中国科学院半导体研究所研究员兼业务副所长。1980年当选为中国科学院院士。1980年至1986年兼任中国科学院109厂厂长。1982年至今任中国科学院半导体研究所研究员。1983年曾任国务院电子振兴领导小组集成电路顾问组组长，国家科委半导体专业组组长。1986年至今兼任中国科学院微电子中心名誉主任。1956年起，他曾先后兼任清华大学无线电系半导体教研组第一任主任兼教授，中国科技大学技术物理系副主任兼教授，北大、复旦兼职教授，成都电子科技大学名誉教授，以及中国科学院研究生终身教授等职。

王守武院士是中国半导体科技事业的开拓者和奠基人之一。1956年他参加制订了“全国十二年科学技术发展远景规划”，把发展我国半导体科学技术列为四项紧急措施之一。据此他组建了我国第一个半导体研究室,组织领导并亲自参加了我国第一台单晶炉的设计,第一根锗单晶的拉制，第一只锗晶体管的研制和第一根硅单晶的拉制。1958 年他亲自创建中国科学院109厂，实现了锗高频晶体管的批量生产。1960年他在半导体研究所内筹建全国半导体测试基地，亲自兼任基地中心主任，解决了当时在全国范围内对半导体材料和器件缺乏标准测试方法和手段的问题。为了满足某些同行所、厂随时抽测一些样品的需要，他创造性地提出了一种测量半导体中“少子”寿命的新方法，并发表了题为“用触针分布电阻的光电导衰退来测量半导体中少数载流子寿命”的论文。测试基地的工作为我国半导体科技事业的发展打下了良好的基础。1963年，他组织领导并参加了我国第一只砷化镓激光器的研制，开辟了我国在光电子方面的新领域。
1975年王守武院士在对耿氏器件中高坊畴的研究中，首次发现高坊畴中雪崩引起的弛豫振荡，并从理论和实践中分析了这种振荡可能达到的频率和效率，同时用计算机模拟研究了耿氏器件中静止畴的形成和转变规律，并在实验中观察到了预期的结果，使人们对高坊畴的动力学过程有了较深的了解。1978年他在分析研究pnpn负阻激光器中，提出在第一组三极管中用异质结构来达到很低的阀值电流和低的增益，而同时增强第二组三极管的电流增益到接近1的程度以保证器件有较理想的开关特性，从而在国际上首次实现了一种低阀值电流的pnpn负阻激光器。与此同时，他从理论和实践中分析了这种器件的激光输出所能达到的最高自振频率和必要的外部条件，从而为其实际应用打下了基础。这项工作于1985年获中国科学院科技进步二等奖。

从1978年开始，王守武院士组织领导了大规模集成电路的研制和中试生产。1979年研制出4K MOS动态随机存贮器，1981年研制完成16K MOS动态随机存贮器，分别获中国科学院1979年和1981年科研成果一等奖，由此他获得了全国劳动模范的光荣称号。80年代初，他领导和组织了集成电路中试生产线的建设。1985年，他领导完成的集成电路大生产试验获中国科学院科技进步二等奖。1990年，他组织完成的集成电路中试生产线获中国科学院科技进步二等奖。此外，他1987年参加了“世界新技术革命和我国的对策”的研讨，获得国家科学技术进步二等奖。鉴于他对我国半导体科技事业的突出贡献，他荣获何梁何利基金2000年度科学与技术进步奖。

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