GaAS Pin diode选择合适的射频开关（一）

GaAS：砷化镓开关，其作为开关的本质等效为电压控制的可变电阻，沟道的夹断或者导通决定着信号的通断。由于其属于耗尽型FET，所以需要使用负压驱动栅极（此时源极接地），当Vgs<Vgs off（夹断电压，负值）时，FET关断（注意是FET关断，而不是开关，如上图：开关是由多个FET构成）；当Vgs=或者略>0时，FET沟道畅通（D和S极短路）。例如：在上图中，VA=-5V、VB=0V时：左边并联FET断开、左串联FET导通、右串联FET断开、右并联FET导通，信号从RFC to RF1；VA、VB反过来，则反之。
砷化镓开关，具有优良的ip3、隔离度特性，使其大量运用在需要高隔离、低插损、线性度要求较高的射频电路中。
缺点是：
需要负压驱动，虽然可以通过ASIC（专用驱动电路）或74HC等TTL\COMS器件，使用负压反接供电，产生负的逻辑电平驱动，总之还是增加了复杂度和成本。
为了克服这一缺点，许多厂家均推出正压驱动（控制）的砷化镓开关，其原理是将S极直流接正压约=开关供电电压VDD（+值），这样就必须用正压驱动栅极。但开关的RF脚必须接电容隔直。此做法方便了工程师设计，不需要在电路中引入负压，即可控制砷化镓开关，但是影响了开关的响应速度，你会发现负压控制的砷化镓开关其典型响应时间<10ns，而正压控制的，则需要几十个ns。
由于越高的栅极电压驱动会显著提高砷化镓开关的线性特征，如P-1dB、ip3等，所以在中高功率发射时一般需要高电平控制GaAS开关，特别是在发射一些复杂的调制波时，信号峰均比高，为了不引起不必要的非线性失真，一般选用高功率的GaAS开关管，并用高电平驱动。时下高速逻辑电平电平值均<=5V,在一些需要高电平驱动的场合，还需要用反相器，把<=5V的电平切换到8V或10V电平。
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谢谢小编！
在这想请教一下小编，我最近使用HMC574或者HMC174，进行切换，老是会遇到一些问题，当功率小于25dbm是，收发正常。然而功率加大到30dbm是，收发效果没有见好，反而变差了，不知道是什么原因。
而不用这些开关切换时候，是正常的。

大哥们，真的没分了！

大哥们，真的没分了！

PIN 管很不错的我用过,频段就是500M的

功率太大了吧,选大功率的开关.

还是pin开关性能比较好吧，现在不都是用这种吗?

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谢谢小编共享，学习学习

Pin 开关的性能更好吧,常用于微波混合集成电路，GaAS开关常用于单片电路中。

功率太大,开关隔离度下降,插损变大.产品手册给的P1dB是多少?

不错，thanks！

不错，如果能拿一个实际的产品来讨论就更好了。

功率大了，开关的性能肯定是要变化的，GaAs开关适合小功率下工作

GaAS：砷化镓开关，其作为开关的本质等效为电压控制的可变电阻，沟道的夹断或者导通决定着信号的通断。由于其属于耗尽型FET，所以需要使用负压驱动栅极（此时源极接地），当Vgs0时，FET沟道畅通（D和S极短路）。例如：在上图中，VA=-5V、VB=0V时：左边并联FET断开、左串联FET导通、右串联FET断开、右并联FET导通，信号从RFC to RF1；VA、VB反过来，则反之。
砷化镓开关，具有优良的ip3、隔离度特性，使其大量运用在需要高隔离、低插损、线性度要求较高的射频电路中。
缺点是：
需要负压驱动，虽然可以通过ASIC（专用驱动电路）或74HC等TTL\COMS器件，使用负压反接供电，产生负的逻辑电平驱动，总之还是增加了复杂度和成本。
为了克服这一缺点，许多厂家均推出正压驱动（控制）的砷化镓开关，其原理是将S极直流接正压约=开关供电电压VDD（+值），这样就必须用正压驱动栅极。但开关的RF脚必须接电容隔直。此做法方便了工程师设计，不需要在电路中引入负压，即可控制砷化镓开关，但是影响了开关的响应速度，你会发现负压控制的砷化镓开关其典型响应时间

pin diode比较好，我们现在的产品U/V段都用这种

GaAS不是很了解 长见识了