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请问手机充电电路为什么都用PMOS管

时间:10-02 整理:3721RD 点击:
请问手机充电电路为什么都用PMOS管?不知道相比于Nmos来讲PMOS的优点在哪里,好像说是什么栅极驱动的问题,不过我不明白具体的原理,哪位好心人能给点解答,我实在在网上搜不到了,谢谢了……!

6楼所说的很对,我原以为只是因为导通电组,回头看了一下NMOS参数,发现NMOS门极电压也很重要。
NMOS 导通条件 一般是D-->S,需要Vgs>Vt(导通门限电压,正值),如果Vds<Vgs-Vt NMOS就处于 三极管区
如果Vds>Vgs-Vt NMOS就处于 饱和区
PMOS 导通条件 一般是S-->D,需要Vgs<Vt(导通门限电压,负值)..........................

低电平使能,很方便

低电平很好理解,只是我不清楚在USB或充电器插上一瞬间,由于VG在PMU内部是通过电阻下拉接地的。通过VGS肯定满足让PMOS导通的条件,这时瞬时充电电压和电流不是很高吗?这是怎么控制的呢?

呵呵,怎么我在这个论坛上提了几个问题都只有一两个人会教我哦,上次问耳机MIC的输入变成伪差分的优点和原理,也没有愿意帮我……呵呵

这个主要是POMS和NMOS的制作工艺决定的
PMOS有一个很重要的优点,就是导通时候的低阻抗,这个对于要求过大电流的场合很适用
根本与使能电平无关

MOSFET在充电电路中都是用在High Side的通路控制,NMOS导通时需要门极驱动电平高于源极(S),导通时D-S电位视为一致,如果用NMOS做通路控制,需要驱动电压高于输入电源电压(这样要求驱动电路内部有升压电路产生高于输入电源电压的供电给驱动电路),如果用PMOS做通路控制,就没有这个问题,驱动起来更方便。

控制端的电压最大才3.0V 若要保证MOSFET 导通,则必须采用P-MOSFET

这个主要是POMS和NMOS的制作工艺决定的
PMOS有一个很重要的优点,就是导通时候的低阻抗,这个对于要求过大电流的场合很适用
根本与使能电平无关
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这个说法不准确吧,RDS按说 是NMOS 的更低吧。

PMOS管导通电阻较NMOS管大,NMOS管的导通电压大

充电MOS的源极一般接charger的正极,电压高,如果使用Nmos,必须保证栅极的电压高于源极才能导通,比较难实现,所以用Pmos

这个应该是正解,学习了!

六楼是正解

六楼正解!

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其实两种都是可以的,由于两种管子的特性,需要其中一端电位固定,PMOS放在供电端,NMOS放在地端,一般设计处于其他因素考虑,一般会放在供电端,这个主要是因为电池的地端需要与主板共地,单纯的对电池充电NMOS可以满足,如果需要共地,就只有使用PMOS了

六楼正解!

6l楼66666

对于相同的面积,NMOS的导通电阻比PMOS更低

六楼正解!

考虑导通电压是对的,导通电阻NMOS更低

都是用的耗尽层MOS

学习学习了

才    才 f                    个。                                                                   个

谢谢分享

这个问题问的好

奇怪呀,你们所说的“充电电路里都用PMOS”,指的是哪个位置呀?
我还没注意到哪里用PMOS,只知道线性充电电路中,一个是大功率的PNP,另外一个是小功率的开关控制管(可以用NMOS与可以NPN)
请高手指点

分析的很好,学习了。

使用PMOS的目的是什么?

使用PMOS的目的是什么?不使用会怎么样?

PMOS做开关的,不使用怎么在电池充满的时候关闭充电呢

电池充满关闭跟PMOS没有关系吧。

是我想错了吗,那是怎么控制的呢?我入行不久

学习了

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