NPN三极管饱和问题

        MTK平台脉冲充电电路，其中用了一个N沟道的CMOS管和NPN三极管，进入恒流充电阶段，量到 Ve = 4.9,Vb = 3.0,Vc = 4.0。按照之间书上的理解，三极管在工作在放大状态是发射结正偏，集电结反偏。我认为应该是处于饱和状态，也就是集电结、发射结都正偏，但是这样理解就解释不通，处于饱和状态电流 Ic 就不止受基极电流影响了。
下图是NPN三极管的一些参数，Vce(sat)是不是代表 Vce大于这个值就是进入放大状态?

图在哪里?

我又重新开了贴，附上图，这个贴不知道怎么删除。