请教！一个MT6252的问题

以前是用PMOS管控制的，通过电压的高低来控制MOS管的打开程度，进而控制充电电流。现在利用三极管的放大作用，当三极管正偏时，ic=βib。基带通过控制ib来控制充电电流，可分为256级别，控制更加精细准确。

手机本身或者充电器都会有充电保护的吧     不过这个脉冲充电。  等高手

国外很多 nokia充电器都是 9.7v的，可以兼容

高手们在哪里?

52改了充电电路，把MOS换成高耐压三极管，而且三极管不可能在线性区域去做电压调整管（因为压降太多，管子承受功率太大），只能是通过类似开关电源的PMW模式不断开关。
这样的情况下，没有恒流充电模式了，但是软件不需要变，这个硬件上已经做到了，因为PMU不断在检测VBAT，当一有电压>4.15V就关MOS（或者三极管），一下到4V再开启，这样这个三极管就当开关管来用了。

由于这个特性，并且MTK52参考设计上没有二极管隔离，所以要求这个三极管开关特性要好，也就是截止ce节漏电流要小，开关响应速度要快

脉冲充电对锂电池寿命有好处，尤其是质量不是那么好的锂电池。好像记得是有利于晶格的激活，但是又不会使得晶格凝结在两极的介面上，好象是这样。

怎么还在搞这个啊 出不了货的啊
开关机200次后出现资料丢失,基本毕现

支持楼上的看法，虽然52支持的高电压充电，但是充电时间会变长。所以来说这个方法并不是一个好的方法。

用AW3208的方式对应9V充电器的原理，就必须沿用6225的PMOS+Shottkey电路，不能使用6252的BJT+NMOS电路.
但是AW3208接9V实际上是很低效的，此时工作于LDO的线性模式，有超过5V压降损耗在内部P-MOS上（在电池进入恒流充电的阶段，AW3208发烫厉害，必须软件设置降低恒流充电电流），远不如MTK设计BJT+NMOS工作于开关PWM模式。
AW3208是垃圾产品。复杂而低效率。
MTK的此部分原始设计也不是最好的，个人有更好的方案，暂时保密

这个帖子真是含金量高啊，受教了

9楼高手

学习了学习了

我们提供BJT+NMOSFET ,需要样品的请电13502888931, 做52和36的朋友来交流。

]1）都说MT6252用的是脉冲充电，就是不知道脉冲充电有什么好处?有知道的前辈告知一下。?
MTK在53之前的平台充电都是线性充电，Pmos+diode
之后所有平台都改成了脉冲充电，BJT+nMOS的
不管是线性充电还是脉冲充电，都是冲停冲停方式的。
后一种的方法只是能够支持高压充电的，一般10V一下的都可以冲。
耐压也能达到30V
2）MT6252优越性能还包括支持电压高达10V的脉冲充电器，这对于出口至各个新兴市场的手机制造商尤为重要。这又是为什么呢
一些诺基亚的充电器的电压都是很高的，最大的一般都在9V左右，而很多客户是需要兼容诺基亚的，所以必然有这种趋势，目前10V一下冲是没有问题的，但是必须考虑的BJT 的功耗，所以高压充电一般会降低充电电流，目前软件里都有自适应的电压侦测机制，高电压自动降低电流

更高招的充电方案期待aquasnake  
这位技术专家释放啊

好处：
1、脉冲充电由于加入去停充极化措施，充电效果好。
2、充电速度不受温度的影响，特别是在温度高时性能好于线性充电器。
3、老化效应低

受教了，谢谢啊

路过路过