微波EDA网,见证研发工程师的成长!
首页 > 研发问答 > 手机设计讨论 > 手机基带和硬件设计讨论 > MOS开关管损失

MOS开关管损失

时间:10-02 整理:3721RD 点击:
3,MOS开关管损失
      不管是NMOS还是PMOS,导通后都有导通电阻存在,这样电流就会在这个电阻上消耗能量,这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右,几毫欧的也有。
      MOS在导通和截止的时候,一定不是在瞬间完成的。MOS两端的电压有一个下降的过程,流过的电流有一个上升的过程,在这段时间内,MOS管的损失是电压和电流的乘积,叫做开关损失。通常开关损失比导通损失大得多,而且开关频率越快,损失也越大。
      导通瞬间电压和电流的乘积很大,造成的损失也就很大。缩短开关时间,可以减小每次导通时的损失;降低开关频率,可以减小单位时间内的开关次数。这两种办法都可以减小开关损失。

小编讲课嘛

MOS在导通和截止的时候,一定不是在瞬间完成的。MOS两端的电压有一个下降的过程,流过的电流有一个上升的过程,在这段时间内,MOS管的损失是电压和电流的乘积,叫做开关损失。
MOS两端的电压有一个下降的过程,这是导通时候的变化吗?
MOS两端的电流有一个上升的过程,这是载止时候的变化吗?

Copyright © 2017-2020 微波EDA网 版权所有

网站地图

Top