128M+32M内存的计算？

采用ADMUX的内存，复用低8位数据线，刚好是9+8=17根，寻址128M,这样理解吗?

还有关于NAND flash数据线复用，如果采用的16bit的data，只有低8bit的data可以作为地址位来寻址。

RAM的寻找有3个，行寻址，列寻址，还有block寻址。一个32M完整的RAM芯片中可能会分为几个logic bank（具体数量得看flash的规格）。每次进行数据读写的话，首先寻址的就是这些logic bank，可以注意到FLASH一般有2个BA0和BA1信号，其实它也是用的EA信号，仍后就是对一个logic bank进行行寻址和列寻址，因为RAM的行和列的地址共用，所以对行和列寻址在时序上有个时间差，一般先对行寻址，过几个间隙（datasheet中会有描述这个时间）后才对列寻址，其实相当于有18bit的地址线。这就相当于在某本书找字，你先把第几页找到，仍后再在找这页的行，接着找列。数据时以字节存储的，也就是8bit。假如flash 的L-BANK是4个的话，那么9bit的地址线应该可以最大可以寻址8*4*256K（2的18次方），这个值为8M。不知道小编的硬件线路用的是9位，我看到大多数手机用的都是13位，最大可以寻址1Ghz。还有小编2的9次方应该是512bit的吧，不是512Kbit。

前面的0~15的地址线应该是跟数据线复用的吧，总共的地址线还是0~24啊

大虾们呢

ADMUX flash算法：数据线16根，地址线的数量N，NOR的容量即为2的（16+N）次方*16bit，那么128Mb=2的23次方*16bit；虽然原理图上接了EA24，那只是说最高支持到的flash容量而已。
另外小编，请问一下2的9次方等于512K?2的17次方等于128M?

地址线怎么会从16开始?

不怎么懂，求高手指教~

4楼说的L-BANK有4个，应该这4个地址也是不一样的吧，也是根据地址线来的，不能说有4个L-BANK就要X4吧?我也搞不清楚，我说的是手机上，一般地址线都要二十几根的，数据线一般16位。说的可能不对，还请见谅。

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进来学习一下

麻烦，一般都是说128Mbit==云云

128Mb+32Mb
也就是16MB+4MB

前者的b指bit，后者的B指Byte。
1Byte=8Bit

学习了，谢谢！, 学习了，谢谢！