MTK地址线问题
1B(Byte)=8b(bit)
MTK 256/128/128 Mb (16/8/8 M x 16-Bit)
MTK平台的EMI接口地址线
每个地址寻找一个点，而我们一般的flash有16位的数据，所以128应该是2的23次方在乘于16，也就是128 Mbit了
我也有疑问，为什么不是从EA0---EA22呢?
1 Nand flash 工作原理
S3C2410 板的Nand Flash 支持由两部分组成：Nand Flash 控制器(集成在S3C2410 CPU)和Nand Flash 存储
芯片(K9F1208U0B)两大部分组成。当要访问Nand Flash中的数据时,必须通过Nand Flash控制器发送命
令才能完成。所以, Nand Flash相当于S3C2410的一个外设,而不位于它的内存地址区.
1.1 Nand flash 芯片工作原理
Nand flash 芯片型号为Samsung K9F1208U0B，数据存储容量为64MB ，采用块页式存储管理。8 个I/O
引脚充当数据、地址、命令的复用端口。
1.1.1 芯片内部存储布局及存储操作特点
一片Nand flash 为一个设备(device), 其数据存储分层为：
1设备(Device) = 4096 块(Blocks)
1块(Block) = 32 页/ (Pages/rows) ;页与 是相同的意思,叫法不一样
1块(Page) = 528 字节(Bytes) = 数据块大小(512Bytes) + OOB 块大小(16Bytes)
在每一页中，最后16 个字节 （又称OOB）用于Nand Flash 命令执行完后设置状态用，剩余512 个字节又
分为前半部分和后半部分。可以通过Nand Flash 命令00h/01h/50h 分别对前半部、后半部、OOB 进行定位通过
Nand Flash 内置的指针指向各自的首地址。
存储操作特点：
1. 擦除操作的最小单位是块。
2. Nand Flash 芯片每一位(bit)只能从1 变为0 ，而不能从0 变为 1，所以在对其进行写入操作之前要一定将相应
块擦除(擦除即是将相应块得位全部变为 1).
3. OOB 部分的第六字节(即517 字节)标志是否是坏块，如果不是坏块该值为FF ，否则为坏块。
4. 除OOB 第六字节外，通常至少把OOB 的前3 个字节存放Nand Flash 硬件ECC 码(关于硬件ECC 码请参看
Nandflash 控制器一节).
1.1.2 重要芯片引脚功能
I/O0-I/O7：复用引脚。可以通过它向nand flash 芯片输入数据、地址、nand flash 命令以及输出数据和操作
状态信息。
CLE(Command Latch Enable): 命令锁存允许
ALE(Address Lactch Enable): 地址锁存允许
-CE: 芯片选择
-RE: 读允许
-WE: 写允许
-WP: 在写或擦除期间，提供写保护
R/-B: 读/忙输出
1.1.3 寻址方式
Samsung K9F1208U0B Nand Flash 片内寻址采用26 位地址形式。从第0 位开始分四次通过I/O0 －I/O7 进
传送，并进行片内寻址。具体含义如下：
0 －7 位：字节在上半部、下半部及OOB 内的偏移地址
8 位：值为0 代表对一页内前256 个字节进行寻址
值为1 代表对一页内后256 个字节进行寻址
9－13位：对页进行寻址
14－25 位：对块进行寻址
当传送地址时,从位0 开始
每个地址寻找一个点，而我们一般的flash有16位的数据，所以128应该是2的23次方在乘于16，也就是128 Mbit了
是的！flash的位宽也是决定容量的因素，2^23只是寻址范围，再乘以位宽才是容量
长知识了
多谢，学习le