请教！充电PMOS管GS之间串接的电阻的作用
时间：10-02
整理：3721RD
点击：
在做leadcore A2000＋平台，充电电路PMOS管的GS之间串接了510欧的电阻，不知道这个电阻的作用是什么?因为MTK平台的充电电路里一般没有这个电阻的，请大侠指教！
电路图见附件<img src="attachments/dvbbs/2009-11/200911417145773499.jpg" border="0" onclick="zoom(this)" onload="if(this.width>document.body.clientWidth*0.5) {this.resized=true;this.width=document.body.clientWidth*0.5;this.style.cursor='pointer';} else {this.onclick=null}" alt="" />
电路图见附件<img src="attachments/dvbbs/2009-11/200911417145773499.jpg" border="0" onclick="zoom(this)" onload="if(this.width>document.body.clientWidth*0.5) {this.resized=true;this.width=document.body.clientWidth*0.5;this.style.cursor='pointer';} else {this.onclick=null}" alt="" />
晕，没人懂吗?
...已经明白了。
Gatedrive端是一个恒流源到GND，通过电流大小的改变来改变Vgs的大小，从而达到控制充电电流大小的目的。
呵呵。。
好多问题，只有碰到过的人才知道
所以小编以后问问题，尽量描述的详细一些，只给个信号名称，没人知道你的电路怎么工作的。
不明白哦,小编,说的详细点啦,,
迷迷糊糊的
按小编的意思来看，GATEDRV应该是一个sink的电流源，G＆S串接电阻后，可将这个电流转化为VGS电压去控制MOSFET的导通程度，从而控制充电电流。
而MTK的方案中，GATEDRV的输出是电压，即电压控制型，这时候就不需要串电阻了，直接用MOSFET就可以了。
BTW：即然TD的方案中，GATEDRV是电流控制型，那么何必用电压控制型的MOSFET来做充电呢。直接用电流控制型的PNP三极管不是更方便吗?
三极管的导通压降太大