NOR 和 NAND FLASH的区别

NOR类型的flash一般来相当于计算机的内存，不过是可以存储数据的，
NAND则相当于NOR型的flash则相当于硬盘，适合大量数据存储
以下是关于NOR和NAND的flash的特点说明：
  NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。
Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。
紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，
并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后，
仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR 和NAND闪存。
“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用。许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处，因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码，这时NOR闪存更适合一些。而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。
　NOR的特点是芯片内执行(XIP, eXecute In Place)，这样应用程序可以直接在flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。NOR的传输效率很高，在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。
NAND结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于flash的管理和需要特殊的系统接口。
性能比较
　　flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。
　　由于擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，与此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms。
　　执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NADN之间的性能差距，统计表明，对于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时)，更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。这样，当选择存储解决方案时，设计师必须权衡以下的各项因素。
　　● NOR的读速度比NAND稍快一些。
　　● NAND的写入速度比NOR快很多。
　　● NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。
　　● 大多数写入操作需要先进行擦除操作。
　　● NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。
接口差别
　　NOR flash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。
　　NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据，各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。
　　NAND读和写操作采用512字节的块，这一点有点像硬盘管理此类操作，很自然地，基于NAND的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。
容量和成本
　　NAND flash的单元尺寸几乎是NOR器件的一半，由于生产过程更为简单，NAND结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量，也就相应地降低了价格。
　　NOR flash占据了容量为1～16MB闪存市场的大部分，而NAND flash只是用在8～128MB的产品当中，这也说明NOR主要应用在代码存储介质中，NAND适合于数据存储，NAND在CompactFlash、 Secure Digital、PC Cards和MMC存储卡市场上所占份额最大。

很好的帖子，谢了
看完这篇帖子，我感觉NOR的应用会越来越小，其他的不说，即使存放代码，也是nand flash的写入速度快啊，在生产时更省时间

都有存在的空间，如果能把NAND的接口简单标准化，使用会方便很多。

同意楼上的

支持一下！

谢谢分享！

2楼说的不对吧。现在好像很多flash都是把nand和nor做在一起的。个人认为如果nor能在写入速度、存储密度和价格上有突破的话，还是很不错的选择。

寫的不錯
頂！

好东东，多谢小编！

谢谢学习了。

十分感谢，很好的帖子！

恩，不错

m
    NAND: Flash的一種技術規格，Nand Flash型的Cell是彼此相連，僅第一
個及最後一個Cell分別與Work Line、BIT Line相連，因此Nand Flash架構
儲存容量較Nor Flash高。Nand Flash的容量較大，改寫速度快，主要應用
在大量資料。
􀂄 NOR: 為Flash的一種技術規格，Nor Flash的每一個Cell均與一個Work
Line及一個BIT Line的連結， Nor Flash隨機讀取較Nand Flash快。Nor
Flash主要應用在程式碼的儲存，容量較小、寫入速度慢，但因隨機讀取
速度快，不適合朝大容量發展，主要用在手機上。
􀂄 SRAM: 每個位元使用六個電晶體(6T)組成，其存取時間較短，製造成本
較高，主要用作快取記憶體（Cache Memory）。由於常用作快取記憶
體，SRAM常被叫做Cache RAM。是以記憶胞內電晶體的導電狀態來儲
存資料。SRAM的設計是採用互耦合電晶體為基礎，沒有電容器放電的
問題，不需要不斷充電以保持資料不流失，也就是不須做記憶體更新的
動作，所以稱為靜態隨機存取記憶體。
􀂄 PSRAM: 以DRAM為核心但卻設有SRAM模樣的介面，當中的DRAM核
心具有一個電晶體(1T)和一個電容器。由於PSRAM採用的是DRAM存儲
器核心(為達到較高的密度和較低的每位元成本)，它們必須週期性地重清
以保存數據。不過，它與標準的DRAM不同，PSRAM不是從外部重清
的，其內部裝有一個隱密的重清電路，能夠使器件比起其他的SRAM更
容易地進行密度上的提升。
   所以在手机段稳定也是对Flash的要求之一，Nor教Nand的稳定性决定其在市场上还是很有优势的·
不过MTK最新平台都支持Nand boot！@