关于管子“ULM2N”的疑问
时间:10-02
整理:3721RD
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在马达控制电路中,我们使用的是ROHM的ULM2N(NPN+DIODE)
但是在spec中并没有看到NPN部分的基极有内置电阻,因此,当GPIO打开基极的时候,
(假设GPIO为2.8V),则NPN管被打开,马达起振,管子工作在饱和区,由于在饱和状态下Vce非常小,因此,Vc几乎等于Ve,而Vb=2.8V!
然而,NPN管的工作条件是Vb〉Ve,Vc〉Vb,即“发射结正偏,集电结反偏”的条件,因此,在前述的马达工作电路中,Vb〉Ve,且Vb〉Vc,这怎么解释呢?
个人认为:无论三极管工作在什么状态,饱和,放大,或是截止,它的工作条件都是一样的,那就是发射结正偏,集电结反偏的条件。 针对这个问题,我也请教过达人,有达人给我解释是,在基极其实已经串联了一个电阻,可以保证Vb<Vc,但是我无法信服,因为ROHM的管子一般都会在spec中明确标称出管子基极电阻的值,或者be之间的电阻值。
希望大家能够集思广益,帮我解答该疑惑,谢谢!
但是在spec中并没有看到NPN部分的基极有内置电阻,因此,当GPIO打开基极的时候,
(假设GPIO为2.8V),则NPN管被打开,马达起振,管子工作在饱和区,由于在饱和状态下Vce非常小,因此,Vc几乎等于Ve,而Vb=2.8V!
然而,NPN管的工作条件是Vb〉Ve,Vc〉Vb,即“发射结正偏,集电结反偏”的条件,因此,在前述的马达工作电路中,Vb〉Ve,且Vb〉Vc,这怎么解释呢?
个人认为:无论三极管工作在什么状态,饱和,放大,或是截止,它的工作条件都是一样的,那就是发射结正偏,集电结反偏的条件。 针对这个问题,我也请教过达人,有达人给我解释是,在基极其实已经串联了一个电阻,可以保证Vb<Vc,但是我无法信服,因为ROHM的管子一般都会在spec中明确标称出管子基极电阻的值,或者be之间的电阻值。
希望大家能够集思广益,帮我解答该疑惑,谢谢!
补充一下:以NPN管为例,Vb>Ve时,电子开始从发射区向耗尽层集结军队,当电子大军开到耗尽层时,发现集电区有一个强大的力量在吸引着它们,这个力量远远大于基区对它们的吸引能力,因此,大部分的电子大军冲过了耗尽层,而投入了集电区的怀抱,但是,由于基区还是有一定的魅力,因此,还会有少数的电子投入到基区的怀抱,这样的结果就是,Ie=Ic+Ib,Ie约等于Ic,集电区要想有比基区对电子更大的吸引力,它就得比基区具备更高的正电压。
以上是个人的理解,欢迎指正 !
NPN管的工作条件是Vb〉Ve,Vc〉Vb,即“发射结正偏,集电结反偏”的条件
这样的工作条件一般都是针对在放大区工作的要求,因为大学的教材都比较古老,讲三极管只讲了用作信号放大用,这样就需要在放大区才有设置静态工作点等;NPN作开关管是工作在饱和区,而饱和区Vb〉Ve,且Vb〉Vc;随便找一本国外的电子类教材都有当开关管用途的讲述
谢谢楼上的兄弟!
我读书时候用的模电书是华中科大的康华光主审的教材,据说该教材被业内人士奉为经典
该书在介绍三极管的放大作用时,曾经提到过三极管工作在饱和区和截止区的一些情况,但只是提了一下,据说在另一本数字电路中会有详细介绍(但我一直没有机会拜读),在讲到这部分知识时,并没有强调三极管工作条件的变化,只是说:“在饱和区和截止区,Ic和Ib不在遵循放大区的放大倍数,此时,发射结发射有余,集电结收集不足”等等,而偏置条件是三极管工作的重要前提,那么在饱和或截止状态下,三极管的各点电压应该是一个什么样的关系?这么重要的地方康老爷子却没有给予必要的交待,真是令人遗憾啊。