MACOM射频功率产品概览
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MACOM以分立器件、模块和单元的形式提供广泛的射频功率半导体产品,支持频率从DC到6GHz。高功率晶体管完美匹配民用航空、通讯、网络、雷达、广播、工业、科研和医疗领域。
MACOM的产品线借助于MACOM六十多年的技术传承,运用bipolar、MOSFET和GaN技术,提供标准和定制化的解决方案以满足客户最严苛的需求。
射频功率晶体管 - 硅基氮化镓 (GaN on Si)
![](../imgqa/rf/rf144101y8aq8fe4uxxxb48x153.jpg)
MACOM是全球唯一在射频领域采用硅基氮化镓(GaN on Si)技术的供应商。我们采用硅基氮化镓(GaN Si)技术以分立器件、模块和单元的形式提供广泛的连续波(CW)射频功率晶体管产品,支持频率从DC到6GHz。
MACOM的高功率连续波和线性晶体管完美匹配民用航空、通讯、网络、长脉冲雷达、工业、科研、以及医疗领域。我们的产品线借助于MACOM六十多年的技术传承,运用硅基氮化镓(GaN on Si)技术,提供标准和定制化的解决方案以满足客户最严苛的需求。MACOM公司的硅基氮化镓产品(可用作分立晶体管和集成放大器)采用0.5微米 HEMT工艺,宽带应用下,在功率、增益、增益平稳度、效率、健壮性方面展现出了卓越的射频性能。
射频功率晶体管 - 硅双极
![](../imgqa/rf/rf144101toy6chnzwoo6wihc154.jpg)
MACOM公司以分立器件、模块和单元的形式提供广泛的双极(Bipolar)射频功率晶体管产品,支持频率从DC到3.5 GHz。我们的高功率双极晶体管完美匹配民用航空、通讯、网络、雷达、工业、科研、以及医疗领域。我们的全镀金制造工艺确保了产品的高性能和长期可靠性。我们的双极晶体管旨在为用户严苛的应用提供可靠的解决方案。
射频功率晶体管 - 硅MOSFET
MACOM公司以分立器件的形式提供广泛的TMOS和DMOS射频功率MOSFET晶体管产品,支持频率从DC到1.0GHz。我们的高功率MOSFET晶体管完美匹配民用航空、通讯、网络、雷达、工业、科研、以及医疗领域。我们的全镀金制造工艺确保了产品的高性能和长期可靠性。我们的MOSFET晶体管旨在为用户严苛的应用提供可靠的解决方案。
GaN和GaAs器件偏置保护模块
![](../imgqa/rf/rf144102uq9rjwhc09j2wutt156.jpg)
MABC-001000-DP000L偏置控制模块利用耗尽型半导体技术为碳化硅基氮化镓(GaN on SiC)、硅基氮化镓(GaN on Si)、砷化镓(GaAs)射频功率晶体管或模块提供准确的栅极电压和脉冲漏极电压。
射频功率 - 硅双极单元和模块
MACOM公司提供广泛的双极(bipolar)射频功率放大器单元,支持频率覆盖1.0GHz到3.5GHz。我们的高功率射频单元完美匹配民用航空、雷达、工业、科研、以及医疗领域。我们的全镀金制造工艺确保了产品的高性能和长期可靠性。我们的单元产品旨在为用户严苛的应用提供可靠的解决方案。
MACOM的产品线借助于MACOM六十多年的技术传承,运用bipolar、MOSFET和GaN技术,提供标准和定制化的解决方案以满足客户最严苛的需求。
射频功率晶体管 - 硅基氮化镓 (GaN on Si)
![](../imgqa/rf/rf144101y8aq8fe4uxxxb48x153.jpg)
MACOM是全球唯一在射频领域采用硅基氮化镓(GaN on Si)技术的供应商。我们采用硅基氮化镓(GaN Si)技术以分立器件、模块和单元的形式提供广泛的连续波(CW)射频功率晶体管产品,支持频率从DC到6GHz。
MACOM的高功率连续波和线性晶体管完美匹配民用航空、通讯、网络、长脉冲雷达、工业、科研、以及医疗领域。我们的产品线借助于MACOM六十多年的技术传承,运用硅基氮化镓(GaN on Si)技术,提供标准和定制化的解决方案以满足客户最严苛的需求。MACOM公司的硅基氮化镓产品(可用作分立晶体管和集成放大器)采用0.5微米 HEMT工艺,宽带应用下,在功率、增益、增益平稳度、效率、健壮性方面展现出了卓越的射频性能。
射频功率晶体管 - 硅双极
![](../imgqa/rf/rf144101toy6chnzwoo6wihc154.jpg)
MACOM公司以分立器件、模块和单元的形式提供广泛的双极(Bipolar)射频功率晶体管产品,支持频率从DC到3.5 GHz。我们的高功率双极晶体管完美匹配民用航空、通讯、网络、雷达、工业、科研、以及医疗领域。我们的全镀金制造工艺确保了产品的高性能和长期可靠性。我们的双极晶体管旨在为用户严苛的应用提供可靠的解决方案。
射频功率晶体管 - 硅MOSFET
![](../imgqa/rf/rf144102is70w30wx778xxww155.jpg)
GaN和GaAs器件偏置保护模块
![](../imgqa/rf/rf144102uq9rjwhc09j2wutt156.jpg)
MABC-001000-DP000L偏置控制模块利用耗尽型半导体技术为碳化硅基氮化镓(GaN on SiC)、硅基氮化镓(GaN on Si)、砷化镓(GaAs)射频功率晶体管或模块提供准确的栅极电压和脉冲漏极电压。
射频功率 - 硅双极单元和模块
MACOM公司提供广泛的双极(bipolar)射频功率放大器单元,支持频率覆盖1.0GHz到3.5GHz。我们的高功率射频单元完美匹配民用航空、雷达、工业、科研、以及医疗领域。我们的全镀金制造工艺确保了产品的高性能和长期可靠性。我们的单元产品旨在为用户严苛的应用提供可靠的解决方案。